01.04.10 - Физика полупроводников

Название работы	Автор	Дата защиты
Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах	Александрович, Елена Викторовна	2000
Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния	Плюснин, Николай Иннокентьевич	2000
Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений	Заварцев, Юрий Дмитриевич	2000
Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки	Ежлов, Вадим Сергеевич	2000
Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния	Мануковский, Эдуард Юрьевич	2000
Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния	Моливер, Сергей Соломонович	2000
Энергетическая структура многоэлектронных атомов	Кустов, Дмитрий Евгеньевич	2000
Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии	Демарина, Наталия Витальевна	2000
Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком	Ормонт, Михаил Александрович	2000
Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями	Мусихин, Юрий Геннадьевич	2000
Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния	Новиков, Юрий Николаевич	2000
Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te	Дьяков, Сергей Николаевич	2000
Магнитоупругая динамика марганец - цинковых ферритов в области спиновой переориентации	Баженов, Максим Владимирович	2000
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния	Чеканов, Валерий Александрович	2000
Экситон-электронное взаимодействие в модулированно-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6	Астахов, Георгий Владимирович	2000
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.	Неустроев, Ефим Петрович	2000
Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур	Муманис Халид	1999
Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности	Олешко, Владимир Иванович	1999
Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения	Потапов, Александр Иванович	1999
Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)	Терещенко, Олег Евгеньевич	1999
Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах	Кибис, Олег Васильевич	1999
Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния	Супрунов, Владимир Владимирович	1999
Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром	Барышников, Сергей Васильевич	1999
Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах	Холомина, Татьяна Андреевна	1999
Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода	Ионычев, Валерий Константинович	1999
Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур	Богатов, Николай Маркович	1999
Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники	Ракитин, Сергей Александрович	1999
Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах	Грушко, Наталия Сергеевна	1999
Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах	Сомов, Андрей Ильич	1999
Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах	Лукашов, Николай Васильевич	1999

Электронная библиотека диссертаций