Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Автор:
Сомов, Андрей Ильич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы | Урбонавичюс, Вайдотас Владович | 1985 |
| Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники | Семенова, Елизавета Сергеевна | 2005 |
| Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах | Кузьмин, Виталий Вячеславович | 2002 |