Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Автор:
Сомов, Андрей Ильич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах», автор — Сомов, Андрей Ильич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ульяновск в 1999 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000253659. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн | Марков, Игорь Александрович | 2010 |
| Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия | Потапович, Наталия Станиславовна | 2012 |
| К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах | Горный, Игорь Викторович | 1998 |