Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Автор:
Сомов, Андрей Ильич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах», автор — Сомов, Андрей Ильич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ульяновск в 1999 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000253659. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs | Стародубцев, Александр Александрович | 2006 |
| Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия | Пак Чун Вэ, 0 | 1985 |
| Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез | Грузинцев, Александр Николаевич | 1985 |