Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Автор:
Сомов, Андрей Ильич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением | Кривоносов, Александр Николаевич | 1999 |
| Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе | Вартанян, Роберт Серобович | 1984 |
| Физические процессы определяющие прочность и долговечность волоконных световодов | Семенов, Сергей Львович | 1997 |