Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
- Автор:
Сомов, Андрей Ильич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) | Пахневич, Андрей Александрович | 2008 |
| Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии | Газиев, Закир Абдумажидович | 1983 |
| Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках | Филиппов, Владимир Владимирович | 2004 |