Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)», автор — Терещенко, Олег Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 1999 году. Объем работы: 168 с.. Внутренний код товара: 01000228407. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез | Грузинцев, Александр Николаевич | 1985 |
| Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии | Санчищин, Дмитрий Владимирович | 2004 |
| Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов | Лакалин, Александр Вячеславович | 1999 |