Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)», автор — Терещенко, Олег Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 1999 году. Объем работы: 168 с.. Внутренний код товара: 01000228407. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников | Ермолов, Алексей Викторович | 2006 |
| Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей | Юрченко, Алексей Васильевич | 2001 |
| Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей | Гацоев, Казбек Аркадьевич | 1983 |