Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами | Винниченко, Максим Яковлевич | 2013 |
| Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, модифицированного фемтосекундным лазерным излучением | Емельянов, Андрей Вячеславович | 2013 |
| Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков | Петьков, Сергей Александрович | 1999 |