Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Автор:
Терещенко, Олег Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
168 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические явления в соединениях Pb1-xSnxTe обусловленные свободными носителями | Пусеп, Юрий Александрович | 1985 |
| Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации | Якимов, Сергей Владимирович | 2005 |