Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах

• Автор: Кибис, Олег Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 225 с. : ил.

Оглавление
Список основных обозначений
Введение
1 Низкоразмерные полупроводниковые системы и электрон-фононное взаимодействие (аналитический обзор)
1.1 Квазидвумерные электронные системы с асимметричным квантующим потенциалом в магнитном поле
1.2 Углеродные нанотрубки
1.3 Коллективное взаимодействие электронов с акустическими фононами в многодолинных полупроводниках
1.4 Локализация электронов при взаимодействии с акустическими фононами
1.5 Квазиодномерные электронные системы
Основные результаты и выводы главы
2 Электрон-фононное взаимодействие в асимметричных квазидвумерных структурах в магнитном поле
2.1 Эффект пространственной асимметрии электрон-фононного взаимодействия
2.2 Аномальный акусто-электрический эффект
2.3 Аномальная термо-ЭДС
2.4 Обсуждение экспериментальных результатов
Основные результаты и выводы главы
3 Электрон-фононное взаимодействие в нанотрубках с хиральной симметрией в магнитном поле

3.1 Асимметрия энергетического спектра электронов при наличии магнитного поля
3.2 Пространственная асимметрия электрон-фононного взаимодействия в нанотрубке
3.3 Возникновение ЭДС при однородном нагреве электронного газа
3.4 Влияние асимметрии электрон-фононного взаимодействия на вольт-амперную характеристику нанотрубки
Основные результаты и выводы главы
4 Влияние электрон-фононного взаимодействия на структуру энергетического спектра квазидвумерных систем в магнитном поле
4.1 Влияние электрон-фононного взаимодействия на структуру уровня Ландау
4.2 Взаимодействие электронов с акустическими фононами в многодолинных системах
4.3 Фононная неустойчивость многодолинного вырождения в инверсионных каналах на поверхности кремния
4.4 Влияние фононной неустойчивости многодолинного вырождения на эффект Шубникова - де Гааза
Основные результаты и выводы главы
5 Электрон-фононные состояния в квазидвумерных ды-
рочных системах
5.1 Образование электрон-фононных состояний в квазидвумерных системах с непараболическим законом дисперсии носителей заряда

5.2 Исчезновение параболических членов в энергетическом спектре дырок в квантовом колодце
5.3 Анализ параметров энергетического спектра
Основные результаты и выводы главы
6 Подавление электрон-фононного взаимодействия в
квазиодномерных системах
6.1 Подавление электрон-фононного взаимодействия в квазиодномерных подзонах Ландау
6.2 Подавление электрон-фононного взаимодействия в узкозонных квазиодномерных системах
6.3 Влияние конфигурации квантовой проволоки на электрон-фононное взаимодействие
Основные результаты и выводы главы
Заключение
Список литературы

электрон-фононного взаимодействия имеет вид
£/ = НсИум, (1-6)
где £ — константа деформационного потенциала, а и — вектор сме-
щения упругой среды. В рамках предложенной вариационной процедуры состояние электрон-фононной системы определяется в два этапа. На первом этапе деформация упругой среды иц полагается фиксированной и состояние электрона определяется из уравнения Шредингера
[Й. + 11] ф(г) = еф(г), (1.7)
где 77 — гамильтониан электрона в отсутствие электрон-фононного
взаимодействия, а волновая функция электрона гЬ и энергия электрона в рассматриваются как функционалы относительно неопределенной пока деформации др, что соответствует хорошо известному адиабатическому приближению [111,112]. На втором этапе минимизируется полная энергия электрон-фононной системы
С [ г 7 ] ~Ь с[Иу],
где Те[иц — энергия деформированной решетки. Реализация этих двух этапов позволяет однозначно определить величины пр, ф и с. Па практике удобно исходить из интегральной формы записи уравнения Шредингера (1.7), в связи с чем описанная вариационная процедура сводится к нахождению экстремалей свободной энергии электрон-фононной системы Т, имеющей вид [11]
т = I ф*Нфс1У + / иф2вУ + Тс[щ3), (1.8)

где интегрирование ведется по всему объему кристалла V, а сумма двух первых слагаемых в (1.8) дает нам энергию электрона е в