Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
- Автор:
Чеканов, Валерий Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
149 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках | Воробьев, Юрий Васильевич | 1983 |
| Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники | Егоров, Антон Юрьевич | 2011 |
| Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si | Круглова, Марина Вячеславовна | 2009 |