Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах

• Автор: Лукашов, Николай Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 151 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I Состояние вопроса по исследованию
низкочастотных шумов в полупроводниковых светоизлучающих структурах
1.1 Понятие низкочастотного (фликкерного) шума вида 1/1
1.2 Статистические характеристики низкочастотного шума вида 1Ц
1.3 Диагностические свойства низкочастотного шума
1.4 Физическая природа низкочастотного шума
1.4.1 Представления о равновесном происхождении фликкерных флуктуаций
1.4.2 Представления о неравновесном происхождении фликкерных флуктуаций
1.5 Низкочастотные флуктуации в полупроводниковых светоизлучающих структурах
1.5.1 Поверхностный механизмы генерации НЧ шумов в полупроводиковых светоизлучающих структурах
1.5.2 Генерационно-рекомбинационная природа низкочастотных шумов
1.5.3 Флуктуации подвижности носителей зарядов как источник
1Д шума полупроводниковых диодов

Глава II

Глава III

Формирование современных тенденций и представлений о механизмах генерации низкочастотных колебаний в полупроводниковых светоизлучающих структурах
Выводы
Модель генерации низкочастотного
шума в полупроводниковых структурах
Экспериментальные данные,
свидетельствующие о существовании
механизма НЧ шума, обусловленного
множественностью его источников
Основные положения
многоисточниковой модели
Одновременное существование в полупроводниковых материалах и структурах нескольких источников фликкерных флуктуаций
Механизм дефектообразования, обусловленный воздействием горячих электронов
Механизм подпорогового дефектообразования и массопереноса как источник избыточного низкочастотного шума в полупроводниковых светоизлучающих структурах
Выводы
Методики экспериментов и аппаратура для исследования низкочастотных флуктуаций
Измерение распределения эффективной концентрации заряженных
центров в полупроводниковых структурах

Глава IV

Установка для комплексного измерения собственных электрических и фотонных шумов светоизлучающих полупроводниковых структур
Методика определения параметров низкочастотного фликкер-шума с использованием относительно более высокочастотной усилительной аппаратуры
Точность и репрезентативность измерений
Выводы
Исследование шумовых, электрофизических и фотоэлектрических характеристик полупроводниковых светодидов при внешних воздействиях и длительной наработке
Изменение параметров шума светоизлучающих полупроводниковых структур при длительном протекании прямого тока
Исследование влияния распределения эффективной концентрации
заряженных центров на шумовую картину
Пространственная локализация фотонной электролюминесценции полупроводниковых светоизлучающих диодов при обратном смещении
Исследование сверхбыстрой деградации фотоэлектрических параметров
полупроводниковых светоизлучающих диодов

а) б) в)
Рис 1.2 Результаты теоретического анализа избыточного шума прямосмещенных диодов Шоттки металл - пБц обусловленного генерационно-рекомбинационными флуктуациями в ОПЗ [34]:
а - расположенные в ОПЗ центры, с флуктуациями заселенности которых связан избыточный шум диода, являются генерационнорекомбинационными центрами, т.е. обмениваются носителями как с зоной проводимости, так и с валентной зоной [70];
б - когда этим центрам соответствует полоса уровней прилипания, т.е. уровней, обменивающихся н.з. только с одной из разрешенных зон [70]; в - когда центры представляют собой дискретный уровень прилипания [72].