Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах

• Автор: Холомина, Татьяна Андреевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Рязань
• Количество страниц: 376 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Глава 1. Природа и методы описания глубоких центров
1.1. Дефектообразование и структура твердого тела
1.2. Модели электронного строения глубоких центров
1.3. Экспериментальные результаты исследования параметров глубоких центров в кремнии и пленках £702 МОП-систем
1.3.1. Глубокие центры в кремнии
1.3.2. Глубокие центры в пленках£702 на кремнии
Выводы к главе
Глава 2. Влияние дефектов на параметры приборов.
Методы стабилизации
2.1. Влияние дефектов структуры на характеристики
кремния и приборов на его основе
2.1.1. Влияние дефектов структуры на свойства кремния
2.1.2. Влияние дефектов структуры кремния
на характеристики р-н-перехода
2.1.3. Влияние дефектов структуры кремния
на характеристики и параметры полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем
2.1.4. Влияние технологии формирования алюминиевой металлизации на параметры диодов Шоттки
2.1.5. Влияние материала электродов на свойства гетероструктур халькогенидный стеклообразный полупроводник-кремний
2.2. Методы геттерирования дефектов структуры кремния
2.3. Влияние дефектов пленки термической £702
на стабильность МОП-систем

2.4. Методы повышения стабильности заряда
МОП-систем на кремнии
Выводы к главе
Глава 3. Влияние глубоких центров, созданных имплантацией, на физические процессы в пленках БЮ2 МОП-систем на кремнии
3.1. Методика экспериментов
3.2. Исследование влияния режима имплантации на величину и стабильность заряда системы 8Ю2-Бг
3.2.1. Исследование влияния режима ионного легирования на величину эффективного заряда системы двуокись кремния-кремний
3.2.2. Стабильность эффективного заряда ионнолегированных образцов БЮ2-81 при разных ТПВ
3.2.3. Исследование плотности и спектров поверхностных состояний облученных ионами образцов двуокись кремния-кремний
3.3. Исследование влияния глубоких центров, созданных имплантацией, на процессы переноса заряда в МОП-системе
3.3.1. Расчет величины заряда термостимулированной деполяризации системы БЮ
3.3.2. Исследование нестабильности заряда пленок БЮ2, облученных ионами бора и фосфора, а также пассивированных ФСС, методом ТСД-ТСП
3.3.3. Исследование влияния режима отжига на эффективность геттерирования подвижного заряда пленок 8Ю2, облученных ионами и пассивированных ФСС

3.4. Исследование влияния имплантации на структуру и диэлектрические свойства пленок БЮ2
3.4.1. Исследование структуры и скорости травления
облученных ионами пленок БЮ2
3.4.2. Диэлектрические параметры ионно-легированных пленок двуокиси кремния
3.5. Моделирование влияния глубоких центров, созданных облучением ионами, на параметры пленок 8Ю2 МОП-систем на кремнии
Выводы к главе
Глава 4. Определение параметров глубоких центров методом релаксационной спектроскопии
4.1. Основные принципы релаксационной
спектроскопии глубоких уровней
4.2. Приближения, лежащие в основе описания физических процессов при нестационарной спектроскопии глубоких уровней
4.2.1. Модель НСГУ, основанная на статистике Шокли-Рида
4.2.2. Активационно-дрейфовая модель релаксационной спектроскопии глубоких уровней
для ловушек основных носителей
4.3. Экспериментальное исследование параметров
глубоких уровней методом РСГУ
4.4. Экспериментальное подтверждение активационнодрейфовой модели НСГУ по литературным данным
4.4.1. Анализ литературных данных по исследованию
ГУ в кремнии методом ЭЬТ8
4.4.2. Анализ литературных данных по исследованию ГУ
в ОаАя, 1пР и Ое методом БЬТБ
Методы исследования параметров ГУ в полупроводниках и диэлектриках Электрические Фотоэлектрические Оптические Радиочастотные
— Эффект Холла* [1, 36-40, 63]
— Эффект Нернста-Эггингаузена* [1, 40]
— Термостимулированный ток (ТСТ) [39-44]
— Термостимулированная поляризация (ТСП), деполяризация (ТСД) [39-45]
— Вольт-амперные характеристики (ВАХ) [1, 37, 38, 40-45, 47, 47]
— Термо-э.д.с.* [38, 40]
— Релаксационная спектроскопия глубоких уровней (РСГУ, ШЛЯ) [2, 3, 49-51, 62]
— Частотная спектроскопия глубоких уровней (ЧСГУ)* [52]
— Поверхностно-барьерная неустойчивость* [52, 293-297]
— Спектроскопия низкочастотного шума* [49, 50, 52-54, 305, 306, 377-383]
— Фотопроводимость и фотоэмиссия [3, 6, 55, 56]
— Элекгроотра-жение [48]
— Термостимулированная люминесценция (ТСЛ) [39-44, 57]
— Спектроскопия ИК поглощения и отражения [6, 40, 48, 58, 59,61]
— Исследование квантового выхода [38, 40]
— Рентгеноскопия [37, 38, 40]
— Электронно-оптичес-кие [37, 38, 40]
— Эффект Фарадея* [38, 40]
— Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) [38, 60]

— Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) [2]

Примечание. *) Методы применяются для определения параметров ГУ в полупроводниках