Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Автор:
Неустроев, Ефим Петрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Якутск
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.», автор — Неустроев, Ефим Петрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Якутск в 2000 году. Объем работы: 167 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002263346. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5 | Альперович, Виталий Львович | 1998 |
| Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия | Ляхович, Анатолий Николаевич | 1984 |
| Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах | Кибис, Олег Васильевич | 1999 |