Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Автор:
Неустроев, Ефим Петрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Якутск
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs | Петров, Павел Вячеславович | 2006 |
| Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники | Казаров, Бениамин Агопович | 2007 |
| Исследование особенностей проявления дисперсионных сил в наноразмерных слоистых структурах на основе кремния | Юрова, Валентина Александровна | 2013 |