Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Автор:
Неустроев, Ефим Петрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Якутск
- Количество страниц:
167 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния | Борщ, Надежда Алексеевна | 2005 |
| Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои | Дорохин, Михаил Владимирович | 2007 |
| Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs | Агеева, Надежда Николаевна | 2005 |