Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники

• Автор: Ракитин, Сергей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 220 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

Список сокращений
Введение
Г лава 1. Литературный обзор
1.1. Краткое описание процессов, протекающих в веществе под влиянием радиационного излучения, ультразвука, плазмы
1.1.1. Воздействие радиационного излучения на кристаллы
1.1.2. Физические основы активного воздействия ультразвука
1.1.3. Плазмохимические процессы
1.2. Электрогидравлический удар как интегральный вид экстремального воздействия
1.2.1. Основные аспекты электрогидравйического удара
1.2.2. Электрические параметры разряда
1.2.3. Образование ударных волн
1.2.4. Кавитационные явления
1.2.5. Плазма разряда, ее свечение
1.3. Изделия знакосинтезирующей электроники: особенности конструкции и применения
1.3.1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы
1.3.2. Жидкокристаллические индикаторы
1.3.3. Общие конструктивные особенности изделий знакосинтезирующей электроники
1.4. Выводы к главе
Глава 2. Экспериментальная часть. Оборудование и методы
исследования
2.1. Установка электрогидравлического удара
2.1.1. Моделирование процессов в рабочем контуре установки
2.1.2. Схема и принцип работы установки
2.2. Установка анализа атмосферы вакуумно-люминесцентных индикаторов

2.3. Другое исследовательское оборудование, приборы и установки
2.4. Выводы к главе
Глава 3. Экстремальные воздействия на поверхность электродных
плат индикаторов и нанесенных полупроводниковых, диэлектрических и токопроводящих слоев
3.1. Поверхность диэлектрических стеклянных электродных
плат индикаторов
3.1.1. Очистка поверхности стеклянных плат
3.1.2. Стеклянные электродные платы жидкокристаллических индикаторов
3.2. Диэлектрические пленки полиимидов
3.2.1. Плазмохимическое воздействие на диэлектрические
пленки полиимидов
3.2.2. Ультрафиолетовое облучение диэлектрических полиимидных пленок
3.3. Многокомпонентные пленочные системы «полупроводник -диэлектрик - токопроводящее покрытие»
3.3.1. Адгезионное взаимодействие в системе «ванадий-алюминий - стеклянная подложка»
3.3.2. Кинетическая устойчивость и структура пленок
алюминия
3.3.3. Пленочная система «силикатное стекло
алюминий - серебро»
3.3.4. Пленочная система «силикатное стекло
алюминий - монооксид германия - люминофор»
3.3.5. Причина утечек в толстопленочных диэлектрических
слоях
3.4. Воздействие электрогидравлического удара на фоторезист
3.5. Ультразвуковое воздействие на расплавы в капилляре электродных плат
3.6. Использование электрогидравлического эффекта для обработки растворителей, применяемых в очистке поверхности компонентов индикатора

3.7. Выводы к главе
Глава 4. Влияние экстремальных воздействий на порошковые
диэлектрические композиции изделий знакосинтезирующей электроники
4.1. Калибраторы межэлектродных зазоров
4.2. Порошковые наполнители для герметиков электродных
плат индикаторов
4.2.1. Цементы
4.2.2. Вяжущие композиты на основе системы (.'а0*8Юа-Н20
4.2.3. Низкоплавкие стеклопорошки паст трафаретного нанесения
4.3. Выводы к главе
Глава 5. Экстремальные воздействия на активные материалы в
вакуумно-люминесцентных индикаторах
5.1. Некоторые конструктивно-технологические принципы изготовления вакуумно-люминесцентных индикаторов
5.2. Остаточная атмосфера в вакуумно-люминесцентных индикаторах
5.3. Анализ остаточной атмосферы в камере магнетронного распыления ГГО-пленок
5.4. Влияние экстремальных воздействий на параметры люминофора
5.5. Влияние экстремальных воздействий на характеристики оксидного катода
5.5. Выводы к главе
Заключение
Выводы по работе
Список литературы
Приложения

Таким образом, для процесса заряжения и одновременной разрядки образующегося осколочного кавитационного пузырька можно записать дифференциальное уравнение
Переписав его в виде сі() = (А- ВО)сІЇ и проинтегрировав от 0 до получаем решение вида
Подставляя в (1.16) типичные параметры кавитиационных пузырьков для случая/= 20 кГц при а = 1(Г3 см Д2 = Ю~2 см, г = 10"4 см, I = 1СГ4 см, % = 50 мВ, получаем значение заряда <29 10-12 Кл, что хорошо согласуется с экспериментальным данными.
При отрыве осколочного пузырька заряд (7 локализуется на малой площади радиуса г, и нормальная составляющая напряженности электрического поля при этом равна:
Расчеты, проведенные в [22], показали, что при подстановке типичных значений Е„ ~ 1011 В/м, величины критической напряженности электрического пробоя в сухом воздухе при атмосферном давлении Ещ т.= ЭТО6 В/м, и, учитывая пропорциональность Ес давлению газа, электрический разряд может возникнуть с высокой вероятностью даже при давлениях, превышающих атмосферное в тысячи раз.
Последние обстоятельства присутствуют как неизменные компоненты электрогидравлического эффекта (электрическое поле, гидравлический удар, акустические колебания, кавитация и т.д.), поэтому теория М.А. Маргулиса [21, 22], по нашему мнению, применительно к ЭГУ является состоятельной.
Создание электрических микроразрядов в жидкости приводит к ионизации электронным ударом и диссоциации молекул жидкости, растворенного
0 = А/В( 1-е-8').
(1.16)
(1.17)