Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур

• Автор: Богатов, Николай Маркович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Краснодар
• Количество страниц: 317 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Взаимодействие структурных компонентов в полупроводниковых
твердых растворах
1.1. Образование структурных компонентов и их упорядочение
в твердых растворах Ge-Si
1.1.1. Поиск возможностей получения гомогенных кристаллов
твердых растворов Gei-xSix
1.1.2. Образование структурных компонентов в расплаве при кристаллизации твердых растворов Gei-xSix
1.1.3. Концентрационные свойства кристаллов Gei-XSix
1.1.4. Примесные комплексы кремния в решетке германия
1.1.5. Собственные комплексы кремния в решетке германия
1.2. Электростатическое взаимодействие в полупроводниковых твердых растворах типа А3В5-В6 со сверхрешеткой из донорных атомов
1.2.1. Функции Грина
1.2.2. Уравнения в функциональных производных
1.2.3. Массовый и поляризационный операторы
1.2.4. Уравнения Дайсона
1.2.5. Основные уравнения для кристалла с примесной сверхрешеткой
1.2.6. Уравнения для энергетического спектра электронов в кристалле
с примесной сверхрешеткой
1.2.7. Энергия взаимодействия сверхрешетки
1.2.8. Зона запрещенных значений энергии, обусловленная
примесной сверхрешеткой
1.3. Выводы к главе
Глава 2. Взаимодействие трансляционных и поворотных элементов деформации
в профилированном кремнии
2.1. Структурные дефекты в профилированном кремнии
2.2. Термические напряжения в кремниевой ленте с двойниковой

структурой
2.3. Влияние формы фронта кристаллизации на образование
структуры
2.4. Влияние формообразования на дислокационную структуру замкнутого профилированного кремния
2.5. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений
2.6. Основные уравнения калибровочной теории структурных дефектов
и термических напряжений
2.7. Распределение дислокаций в плоской кремниевой ленте
2.8. Выводы к главе
Глава 3. Взаимодействие примесей и радиационных дефектов в кремнии
3.1. Образование первичных радиационных дефектов в кремнии
3.2. Расчет скорости генерации первичных радиационных дефектов
3.3. Образование вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси атомов кислорода, углерода, фосфора, бора
3.4. Влияние вторичных радиационных дефектов на параметры кремния, содержащего примеси атомов кислорода, углерода,
фосфора, бора
3.5. Образование вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси атомов кислорода, углерода, фосфора,
бора, лития
3.6. Влияние вторичных радиационных дефектов на параметры кремния, содержащего примеси атомов кислорода, углерода,
фосфора, бора, лития
3.7. Влияние концентрации лития на радиационную стойкость
кремния
3.8. Выводы к главе
Глава 4. Перенос носителей заряда в неоднородных полупроводниках
4.1. Система уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниках
4.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда
4.3. Влияние концентрации основных примесей на параметры кремниевого материала
4.4. Численная модель переноса носителей заряда в одномерных полупроводниковых структурах
4.5. Нелинейные эффекты в освещенной кремниевой п+-р-р+
структуре
4.6. Влияние параметров материала на вольт-амперную характеристику освещенных кремниевых п+-р-р+ структур
4.7. Влияние эффектов сильного легирования на параметры
кремниевых п+-р-р+ структур
4.8. Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику освещенных кремниевых п+-р-р+ структур
4.9. Образование фотостимулированного потенциального барьера
в структурах на основе высокоомного кремния
4.10. Колебания термолизованной электронно-дырочной плазмы в освещенных полупроводниках с переменной шириной запрещенной зоны
4.11. Генерация переменного напряжения в освещенной варизонной структуре
4.12. Модель арсенидгаллиевых р+-по-п+ структур при большой
плотности тока
4.13. Анализ влияния температуры на вольт-амперную характеристику
GaAs p+-no-n+ структур при большой плотности тока
4.14. Модель р+-п-р-п+- структуры в закрытом состоянии
4.15. Вольт-амперные характеристики р+-п-р-п+ арсенидгаллиевых структур
в закрытом состоянии
4.16. Выводы к главе
Глава 5. Перенос носителей заряда в поликристаллических полупроводниках
5.1. Статистика рекомбинации электронов и дырок через межкристаллические границы
5.2. Расчет электрофизических свойств межкристаллических
границ в кремнии
5.3. Анализ прохождения неосновных носителей заряда через

В,=2КМ|1), (22)
д = 11Х +2“~~[(К] - и2)я? + ЯЖ]. (23)
где и=С12/(Сп+С12) - коэффициент Пуассона. Кластер вставлен в бесконечную среду, предельный переход 11о->а> в формулах (20 - 23) дает А1=0,
2 К,3(1 + V)
Р ь?(*2-а.) р«
(25>
(1 + м)
С помощью (19, 24, 25) смещения относительно беспримесного кристалла Ое с точностью до величин порядка 61 запишем в виде
и2(г) =(5, + А,)г при г<Кп (26)
й1(г) = В1-- прилег. (27)

Используя (13, 26,27) получим энергию упругой деформации
ис=[3/2-( С| 1-С,2 )/Сц ]( С11+2С12 )с3-512-1Ч. (28)
Рис. 1.4. Схема совмещения поверхностей для сферического дефекта:
Ко - радиус внешней границы среды;
К1 - радиус поры;
Я2 - радиус ядра;
ио - радиальное смещение поверхности ядра; иг - радиальное смещение внутренней поверхности оболочки
При оценке вклада поверхностной энергии учитывалось, что среднее уменьшение энергии элементарной ячейки в кластере ли. Тогда средняя сила, действующая со стороны объема на поверхностную элементарную ячейку кластера Р~Д11/а, а коэффициент поверхностного натяжения а~¥/а. В этом случае поверхностная энергия кластера с радиусом Я
Ака4лК2«Ди(4л)ш(ЗМ)2/3. (29)
Кластер является устойчивым, если выполняется условие <ЭДФ/д1Ч<0. Критическое число атомов в зародыше кластера № определяется из уравнения