01.04.10 - Физика полупроводников

Название работы	Автор	Дата защиты
Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge	Кириенко, Виктор Владимирович	2011
Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием	Жевнеров, Евгений Владимирович	2011
Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе	Комиссарова, Татьяна Александровна	2011
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge	Блошкин, Алексей Александрович	2011
Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs	Козлов, Дмитрий Андреевич	2011
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси	Сидоров, Евгений Николаевич	2010
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала	Карташова, Анна Петровна	2010
Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов	Сизов, Виктор Сергеевич	2010
Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния	Маслова, Наталья Евгеньевна	2010
Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии	Демидова, Наталия Евгеньевна	2010
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона	Саркисов, Сергей Юрьевич	2010
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения	Николаев, Данил Валериевич	2010
Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн	Марков, Игорь Александрович	2010
Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe	Милованова, Оксана Александровна	2010
Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)	Чубенко, Дмитрий Николаевич	2010
Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников	Аньчков, Денис Геннадьевич	2010
Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова	Ле Ван Ван	2010
Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии	Можаев, Алексей Владиславович	2010
Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками	Чербунин, Роман Викторович	2010
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе	Матвеев, Борис Анатольевич	2010
Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ	Сидоров, Игорь Викторович	2010
Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках	Петров, Дмитрий Викторович	2010
Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов	Лубов, Максим Николаевич	2010
Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)	Настовьяк, Алла Георгиевна	2010
Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда	Тхумронгсилапа Папхави	2010
Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой	Ахкубеков, Александр Эдуардович	2010
Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза	Смирнов, Евгений Валерьевич	2010
Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения	Исламов, Дамир Ревинирович	2010
Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур	Бондаренко, Евгений Владимирович	2010
Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда	Дусь, Андрей Игоревич	2010

Электронная библиотека диссертаций