Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Автор:
Блошкин, Алексей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
166 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge», автор — Блошкин, Алексей Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2011 году. Объем работы: 166 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005384786. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs | Субач, Сергей Владимирович | 2001 |
| Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия | Криворотов, Николай Павлович | 2002 |
| Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении | Половинкин, В.Г. | 1984 |