Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Автор:
Блошкин, Алексей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
166 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge», автор — Блошкин, Алексей Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2011 году. Объем работы: 166 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005384786. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников | Корнев, Константин Петрович | 1983 |
| Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами | Васин, Сергей Вячеславович | 1999 |
| Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах | Щербаков, Алексей Валерьевич | 2002 |