Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Автор:
Блошкин, Алексей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
166 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Субструктура и оптические свойства гетероструктур на основе А3В5 | Середин, Павел Владимирович | 2012 |
| Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi | Шаронова, Лариса Васильевна | 1984 |
| Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом | Захарчук, Светлана Юрьевна | 1997 |