Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Автор:
Блошкин, Алексей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
166 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами | Константинова, Елизавета Александровна | 2007 |
| Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) | Настовьяк, Алла Георгиевна | 2010 |
| Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости | Комаров, Евгений Павлович | 2002 |