Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Автор:
Блошкин, Алексей Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
166 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности трансформации наноалмазов при отжиге | Сиклицкая, Александра Вадимовна | 2014 |
| Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок | Базаров, Валерий Вячеславович | 2003 |
| Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия | Литвинов, Валентин Вадимович | 1985 |