Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала

• Автор: Карташова, Анна Петровна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 191 с. : ил.

Содержание

Введение
Глава 1’. Квантоворазмерные структуры 1пСаМЛЗаМ для синей и
зеленой области спектра (обзор литературы)
1.1 Основные этапы развития светодиодов на основе нитридов
Ш-группы
1.2 Структурные особенности нитридов Ш-группы
1.3 Специфика диагностики многообразия форм организации
наноматериала Ш-нитридов
1.3.1 Регулярные фракталы и их использование для параметризации структур материалов
1.3.2 Мультифрактальная параметризация структуры материалов
1.3.3 Стандартная интерпретация мультифрактального формализма (краткое изложение)
1.4 Типичные конструкции светодиодов на основе
многослойных гетероструктур 1лСа1[/СаЫ
1.5 Оптические свойства твердых растворов 1пСаЫ и процессы
излучательной рекомбинации СД на их основе
1.6 Особенности светодиодов сине-зеленого диапазона
на основе 1пСаЫ — структур с квантоворазмерной активной областью при высоких уровнях возбуждения
1.7 Анализ причин падения эффективности электролюминесценции
светодиодных гетероструктур АЮаИЧ при большой плотности
тока накачки
Глава 2. Основные объекты исследования. Технология выращивания и методики исследования светоизлучающих

квантоворазмерных структур на основе 1пОаМ/Оа>
2.1, Технология выращивания и дизайн светоизлучающих
квантоворазмерных 1пСаЫ/ОаК структур
2:2 Методы исследования структурных, электрических и
оптических свойств светоизлучающих структур
2.2.1 Исследование морфологии поверхности
2.2.2 Методика определения характера организации наноматериала светоизлучающих квантоворазмерных структур на основе мультифрактального анализа
2.2.3 Исследование структурных особенностей светоизлучающих структур методами просвечивающей электронной микроскопии
2.2.4 Метод вторичной ионной масс-спектроскопии (ВИМС)
2.2.5 Измерение вольт - амперных и ватт-амперных характеристик....77 Глава 3. Исследование светоизлучающих структур для зеленой
области спектра на основе твердого раствора ваАзЫ
Глава 4. Безызлучательная рекомбинация в светоизлучающих
квантоворазмерных 1пСаИ/ОаМ структурах с разным характером организации наноматериала
4.1 Структурные свойства светоизлучающих квантоворазмерных
ТпСаИ/СаК структур, классифицированных по характеру организации наноматериала
4.2 Особенности транспорта носителей и безызлучательной
рекомбинации в светодиодах на основе МС^ 1пСа1Ч/ОаМ, классифицированных по характеру организации

наноматериала
4.2.1 Анализ типичных вольтамперных характеристик меза-диодов и светодиодов на основе квантоворазмерных структур InGaN/GaN
4.2.2 Исследования вольтамперных характеристик меза-диодов и светодиодов, сформированных на структурах с разным характером организации наноматериала
4.2.3 Анализ возможных каналов безызлучательной рекомбинации в меза-диодах и светодиодах, сформированных на структурах
с разным характером организации наноматериала
Глава 5. Особенности излучательной рекомбинации
5.1 Взаимосвязь значений внешней квантовой эффективности
с характером организации наноматериала
5.2 Особенности спектров электролюминесценции
квантоворазмерных InGaN/GaN структур в диапазоне температур 50-400К
5.3 Выяснение возможностей повышения внешней квантовой
эффективности InGaN/GaN
5.4 Эффект падения ВКЭ в СД на основе MQW InGaN/GaN
Заключение
Литература

стандартная, интерпретация*, мультифрактального- формализма, не является? единственной. Имеются также- интерпретация? Мандельброта [25]; термодинамическая [20] и информационная- [17] интерпретации.' Использование последней' в целях параметризации дает целый ряд дополнительных возможностей, в том числе позволяет вводить характеристики упорядоченности и однородности изучаемых структур, измерять относительную величину степени? нарушенной фрактальной симметрии и т.д.
В информационной интерпретации (как и в стандартной) при разбиении пространства, в котором помещен изучаемый объект, на ячейки размера 1 мы можем генерировать на нем меру {рД, Ещ; = 1 (1=1 ...М), представляющую собой распределение некоторой эффективной, не меняющей свой знак величины в зависимости от природы изучаемого объекта. Стандартный мультифрактальный формализм можно рассматривать как следствие введения в рассмотрение информации 1(я) = Ещ; 1п(щ/ри(я)), ри(я) = (рОЧ/Х(ч)> %(я) = Е,Р1Ч = 1, (1 = 1.. .П) мультифрактального преобразования [17], что приводит к простой связи мультифрактальной информации 1(ц) со спектром размерностей Реньи Оч = В1+Нт1_>о1(ч)/((ч-1)1п1) (рис. 5). Преобразование Лежандра экспоненты мультифрактальной информации Х|(я)= Нт]„>01(я)/1п1 = (с] - 1 )(П, -Оч) дает явное представление смещенного Да)- спектра афя) = бх/ёя = а(я) -Вь Д(я) = яа1 - Х[(я) = ^я)-Оь где а(я) и Г(я) - суммы, введенные как формальные определения а(я)=бх/бя=Нт1_,02;рн(я)1п(р;)/1п1, 1(я)=яа(я)-
х(я)=Ит1_>о^!Йн(ч)1п(М-п(ч)У1п1- Параметризация смещенного Г(а) спектра с учетом группового свойства преобразования {р.}—»(рДя)} позволяет записать обе характеристики Д и а в более общей форме: Р(г,я) = Пт^о 1/1п1 (Е1рп(г)1п(рп(з)), а(я) = Р(я,1), Д(я) = Р(я,я), (1 = 1...Р1). При этом Р(г,з) представляет собой двухпараметрическое семейство обобщенных неопределенностей. Поверхность Р(г,з) в пространстве (г,з,Р) должна