Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
- Автор:
Карташова, Анна Петровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
191 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Мощные ультрафиолетовые светоизлучающие диоды : характеристики и использование для контроля загрязнения воды | Шамирзаев, Владимир Тимурович | 2016 |
| Многокомпонентные оксидные наноматериалы с фрактальной структурой для чувствительных элементов адсорбционных сенсоров | Карманов, Андрей Андреевич | 2016 |
| Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках | Поплавной, Анатолий Степанович | 1982 |