Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs

• Автор: Козлов, Дмитрий Андреевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 117 с. : ил.

Список сокращений
• ДЭГ - двумерный электронный газ
• МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия
• QPC - quantum point contact, квантовый точечный контакт
• КЭХ - квантовый эффект Холла
• ACM - атомно-силовой микроскоп
• МС - магнитосопротивление
• АБ - Ааронова-Бома, (осцилляции)
• ААС - Альтшуллера-Аропова-Спивака (осцилляции)
• СПМС - соизмеримые пики магнитосопротивлсния
• ШдГ - (осцилляции) Шубникова-де Гааза

Содержание
1 Введение и обзор литературы
1.1 Введение
1.2 Двумерный электронный газ в гетеропереходе АЮаАз/СаАв
1.2.1 Гетеропереход АЮаАв/СаАв как удобный полигон для
изготовления наноструктур
1.2.2 Уменьшение глубины залегания ДЭГ
1.3 Квантовые проволоки
1.3.1 Баллистический и квантовый транспорт
1.3.2 Причины квантования кондактанса. Модель электронного волновода
1.3.3 Одномерная модель Бюттикера-Ландауэра
1.3.4 Причины разрушения квантования
1.4 Кольцевые интерферометры
1.5 Сверхрешетки антиточек
2 Образцы и методика эксперимента
2.1 Высокоподвижный двумерный электронный газ в
гетеропереходе АЮаАз/СаА.з с малой глубиной залегания
2.1.1 Основные свойства
2.1.2 Влияние затвора на параметры ДЭГ с малой глубиной
залегания
2.2 Технологии модификации поверхности
2.3 Влияние глубины залегания ДЭГ на электростатический
потенциал изготавливаемых структур
2.4 Методика низкотемпературного эксперимента ..................61 I
2.4.1 Измерение сопротивления методом
фазочувствительного детектирования
3 Экспериментальные результаты измерения электронного
транспорта в одномерных структурах
3.1 Транспорт в баллистических неадиабатических проволоках с
резкими границами

3.2 Эффект многократного отражения в баллистическом
интерферометре
4 Электронный транспорт в сверхрешетках антиточек
4.1 Сверхрешетки антиточек с резкими границами с периодом
200 нм
4.2 Сверхрешетки антиточек с резкими границами с периодом 80 нм
5 Заключение
5.1 Основные результаты и выводы
5.2 Список публикаций в рецензируемых журналах
6 Список используемой литературы

В (Т)
Рис. 7: Зависимость от магнитного поля сопротивления баллистического интерферометра с диаметром с1 « 1.6 /ш, изготовленного на основе
гетероперехода АЮаАв/СаАз, для двух значений затворного напряжения: 0.15 В (а) и 0.24В (Ь). Наблюдается существенная разница в поведении осцилляций, обусловленная целым (а) и дробным (Ь) числом заполненных Ш-подзон. Из работы [42].