Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
- Автор:
Козлов, Дмитрий Андреевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
117 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs», автор — Козлов, Дмитрий Андреевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2011 году. Объем работы: 117 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004993926. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптическая неоднородность кристаллов лангасита | Клюхина, Юлия Вячеславовна | 2006 |
| Структуры металлический кластер - квантовая точка, выращенные нанокапельной молекулярно-лучевой эпитаксией | Лямкина, Анна Алексеевна | 2015 |
| Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы | Мосин, Юрий Викторович | 1998 |