Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
- Автор:
Козлов, Дмитрий Андреевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
117 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Инфракрасная фурье-спектроскопия микро- и наноструктур на основе InAs и InSb | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | 2014 |
| Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3 | Курбанов, Элмхан Мадад оглы | 1984 |
| Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра | Мармур, Илья Янкелевич | 1984 |