Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Настовьяк, Алла Георгиевна
01.04.10
Кандидатская
2010
Новосибирск
114 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Список используемых обозначений и сокращений
а.м. - атомное место ГП - гетеропереход
ГФМЛЭ - газофазная молекулярно-лучевая эпитаксия МК - Монте-Карло
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия
МС - монослой
НВ - нановискер
ПЖК - пар-жидкость-кристалл
ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия
ab initio - расчеты из первых принципов
CVD (chemical vapor deposition) - химическое осаждение из газовой фазы
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
ГЛАВА 1. Основные закономерности роста . . . . .
1.1. Общая схема роста нановискеров. . . . . .
1.2. Структура, морфология и распределение по размерам ансамбля нитевидных нанокристаллов . . . . . . .
1.3. Влияние ростовых условий на рост нановискеров. . .
1.4. Зависимость скорости роста нановискеров от диаметра капли-затравки
1.5. Создание р-п и гетеропереходов в нановискерах . . .
1.6. Нановискеры на основе растворов 811-хОех .
1.7. Основные модели роста нановискеров. . . . .
1.8. Минимальный и максимальный диаметр нановискеров
1.9. Лимитирующая стадия процесса
Заключение к главе 1
ГЛАВА 2. Монте-Карло модель роста нитевидных нанокристаллов .
2.1. Описание модели
2.2. Описание модельной системы . . . . .
Заключение к главе 2
ГЛАВА 3. Моделирование роста однокомпонентных нитевидных нанокристаллов
3.1. Влияние смачиваемости поверхности подложки веществом затравки на морфологию нановискеров
3.2. Морфология нановискеров в зависимости от условий роста .
3.3. Зависимость скорости роста нановискеров 81 от диаметра капли.
3.4. Зависимость скорости роста нановискеров 81 от условий осаждения
Заключение к главе 3 . . . . . . . .
ГЛАВА 4. Моделирование роста 81-Ое нановискеров
4.1. Аксиальные гетеропереходы БьОе в нанопроволоках . .
4.2. Рост Оех8м_х нановискеров
Заключение к главе 4
Заключение
Публикации по теме диссертации
Список литературы . . . . . . . . .
1.7. Основные модели роста НВ
Для.объяснения роста нитевидных кристаллов почти одновременно были предложены две основные модели: 1) диффузионно-дислокационная модель.и 2) модель, пар-жидкость-кристалл (ПЖК) [1]. В рамках диффузионной теории, основной вклад в рост кристалла дают атомы, адсорбирующиеся, боковой, поверхностью кристалла и подложкой и диффундирующие к вершине, где-имеется активный участок роста [1]. Первоначально таким активным участком считалась винтовая дислокация, проходящая вдоль оси кристалла. Этот дефект создает на торце вискера незарастающую ступень, в край которой встраиваются почти все частицы, поступающие из потока. Позднее выяснилось, что таким активным участком роста могут служить частицы-затравки, в частности капли катализатора. Позднее Вагнером, Эллисом и Гиваргизовым был предложен механизм роста ПЖК, который в настоящее время является классической' схемой роста [28].
Роль капли металла разными исследователями оценивается по-разному. Многие авторы называют действие капли каталитическим, но в разных работах под этим подразумеваются различные понятия. В ряде работ считается, что металл является химическим катализатором, ускоряющим выделение атомов полупроводника из транспортной молекулы [32, 75] («химический катализ»). Каталитическое действие капли металла должно утрачиваться при росте нановискеров методом МЛЭ, так как здесь полупроводник поступает непосредственно в атомарном виде и декомпозиция транспортных молекул не требуется. Однако, многочисленные эксперименты по росту полупроводниковых нановискеров показали возможность формирования нитевидных нанокристаллов методом МЛЭ [16, 31, 30]. Это свидетельствует о том, что металлические капли являются не только катализаторами процесса, но и некоторыми затравками, выгодными местами для роста («физический катализ»). Полагая, что металл в процессе роста находится в жидком состоянии,.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si | Макаренко, Владимир Александрович | 2006 |
Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений | Кижаев, Сергей Сергеевич | 2003 |
Разработка методики и изучение ультраакустических свойств расплавов полуметаллов и полупроводников | Ким Сен Гук, 0 | 1985 |