Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Автор:
Сизов, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
129 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов», автор — Сизов, Виктор Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2010 году. Объем работы: 129 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004828041. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием | Яковлев, Георгий Евгеньевич | 2018 |
| Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига | Мохов, Евгений Николаевич | 1998 |
| Электронный транспорт в HgTe квантовых ямах с линейным и параболическим законом дисперсии | Добрецова, Алёна Александровна | 2019 |