Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Автор:
Сизов, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
129 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур | Власов, Артур Николаевич | 2014 |
| Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния | Ли, Галина Викторовна | 2013 |
| Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости | Лопатюк, Сергей Владимирович | 1984 |