Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Автор:
Сизов, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
129 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп | Черемухина, Ирина Анатольевна | 2001 |
| Излучательные, электрические и магнитные свойства арсенид-галлиевых структур, дельта-легированных марганцем | Калентьева, Ирина Леонидовна | 2017 |
| Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии | Боримскмй, Виталий Васильевич | 1985 |