Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Автор:
Сизов, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
129 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов», автор — Сизов, Виктор Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2010 году. Объем работы: 129 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004828041. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур | Соломонов, Александр Васильевич | 1999 |
| Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции | Ткаченко, Виталий Анатольевич | 2007 |
| Электронные явления в полупроводниковых наноструктурированных материалах, насыщенных водородом | Сергеев, Владимир Олегович | 2014 |