Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Автор:
Сизов, Виктор Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
129 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов», автор — Сизов, Виктор Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2010 году. Объем работы: 129 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004828041. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия | Илащук, Мария Ивановна | 1984 |
| Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах | Григорьев, Леонид Владимирович | 2008 |
| Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O) | Андреев, Вячеслав Эдуардович | 2005 |