Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
- Автор:
Чубенко, Дмитрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Владивосток
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs | Власов, Юрий Николаевич | 2012 |
| Безызлучательные переходы и перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках | Самосват Дмитрий Михайлович | 2015 |
| Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами. | Фещенко, Игорь Сергеевич | 2002 |