Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
- Автор:
Чубенко, Дмитрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Владивосток
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов | Боргардт, Николай Иванович | 1999 |
| Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения | Комков, Олег Сергеевич | 2006 |
| Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии | Усеинов, Алексей Серверович | 2004 |