Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
- Автор:
Бондаренко, Евгений Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
132 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si | Синис, Валерий Павлович | 2002 |
| Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах | Прокофьев, Алексей Анатольевич | 2003 |
| Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы | Бугров, Владислав Евгеньевич | 1998 |