Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Автор:
Кириенко, Виктор Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se | Ибрагимов, Нураддин Азиз оглы | 1985 |
| Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах | Смирнов Дмитрий Сергеевич | 2018 |
| Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках | Файрушин, Альберт Рафикович | 2004 |