Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Автор:
Кириенко, Виктор Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge», автор — Кириенко, Виктор Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2011 году. Объем работы: 152 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005376658. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии | Якимова, Елена Владиленовна | 2000 |
| Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 | Малявка, Лариса Васильевна | 1999 |
| Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров | Лешко, Андрей Юрьевич | 2000 |