Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Автор:
Кириенко, Виктор Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах | Кравченко, Константин Олегович | 1999 |
| Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе | Родионов, Максим Александрович | 2005 |
| Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца | Писаревский, Мстислав Сергеевич | 2002 |