Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Автор:
Кириенко, Виктор Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge», автор — Кириенко, Виктор Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2011 году. Объем работы: 152 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005376658. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами | Солонин, Александр Павлович | 2009 |
| Управление свойствами полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок | Богданова, Дарья Александровна | 2013 |
| Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах | Каневский, Владимир Михайлович | 2013 |