Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
- Автор:
Кириенко, Виктор Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V | Максимов, Кирилл Сергеевич | 2002 |
| Электрофизика пористого кремния и структур на его основе | Зимин, Сергей Павлович | 2003 |
| Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения | Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз | 2007 |