Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Автор:
Матвеев, Борис Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Б.м.
- Количество страниц:
258 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод | Василевский, Константин Валентинович | 2002 |
| Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe | Бродовой, Александр Владимирович | 1984 |
| Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе | Торхов, Николай Анатольевич | 2007 |