Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Автор:
Матвеев, Борис Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Б.м.
- Количество страниц:
258 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе», автор — Матвеев, Борис Анатольевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Б.м. в 2010 году. Объем работы: 258 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005366078. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии | Галеева, Александра Викторовна | 2011 |
| Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния | Павликов, Александр Владимирович | 2000 |
| Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования | Грудинкин, Сергей Александрович | 2002 |