Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
- Автор:
Матвеев, Борис Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Б.м.
- Количество страниц:
258 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-x(AIN)x, и поверхностно-барьерных структур на их основе | Рамазанов, Шихгасан Муфтялиевич | 2014 |
| Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах | Тарасенко, Сергей Анатольевич | 2008 |
| Исследование контактов металл-фосфид галлия и разработка УФ фотоприемников на их основе | Орлова, Татьяна Алексеевна | 1999 |