Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
- Автор:
Кривоносов, Александр Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
97 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда | Овсюк, Виктор Николаевич | 1983 |
| Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников | Гусейханов, Магомедбаг Кагирович | 1999 |
| Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs | Штрекерт, Ольга Юрьевна | 2005 |