Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников

• Автор: Гусейханов, Магомедбаг Кагирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 285 с. : ил.

Содержание
Введение
I. Электрофизические свойства контактов металл-арсенид
галлия
1.1. Энергетическая диаграмма контакта металл-арсенид галлия
1.2. Явления переноса на контакте металл-арсенид галлия
1.3. Электрофизические свойства омических контактов к арсениду галлия
1.3.1. Требования к омическим контактам и контактным материалам
1.3.2. Методика исследования удельных переходных сопротивлений омических контактов
1.3.3. Технология получения и электрофизические свойства омических контактов к арсениду галлия
Выводы
II. Электрофизические и отражающие свойства контактов металл-фосфид галлия
2.1. Энергетическая диаграмма и явления переноса на контакте металл-фосфид галлия
2.2. Расчет удельных переходных сопротивлений контактов металл-фосфид галлия
2.3. Электрофизические свойства омических контактов к фосфиду галлия
2.3.1. Технология нанесения контактов и выбор контактных материалов
2.3.2. Омические контакты к фосфиду галлия электронного типа проводимости
- однослойные контакты
- многослойные контакты
2.3.3. Омические контакты к фосфиду галлия дырочного типа проводимости
2.3.4. Обсуждение результатов исследований
2.3.5. Исследование омических контактов на светодиодах
2.3.6. Электрические свойства омических контактов
2.3.7. Стабильность свойств контактов к фосфиду галлия
2.3.8. Влияние радиации на сопротивления омических контактов
2.4. Отражающие свойства омических контактов к фосфиду галлия
2.4.1. Методика исследования отражающей способности контактов
2.4.2. Отражающая способность систем:
1) Омические контакты
2) Металлические покрытия
3) Система Ме - БЮ2
2.4.3. Конструкции светодиодов с отражающими покрытиями
2.4.4. Стабильность отражающей способности контактов
Выводы
III. Электрофизические свойства металлических контактов к
карбиду кремния и твердым растворам на его основе
3.1. Энергетическая диаграмма контакта металл-карбид кремния
3.2. Омические контакты к карбиду кремния
1) однокомпонентные контакты
2) многокомпонентные контакты
3.3. Омические контакты к твердым растворам (81С_Х{АШ)Х
3.4. Стабильность свойств омических контактов

3.5. Отражающая способность металлических контактов к карбиду кремния
3.6. Общие закономерности формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам
Выводы
IV. Механизм формирования контактов металл-оксид цинка и
их электрофизические свойства
4.1. Формирование выпрямляющих контактов металл-оксид цинка
4.2. Пробой поверхностно-барьерных структур
4.3. Влияние влажности окружающей среды на свойстве выпрямляющего контакта
4.4. Механизм образования омического контакта и его свойства
Выводы
V. Закономерности образования и физические свойства гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
5.1. Получение и свойства гетероструктуры nGaP
5.2. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры
nGe-ZnO
5.3. Свойства гетероструктур на основе кремния и оксида цинка
5.4. Некоторые свойства структуры GdS
5.5. Энергетическая зонная диаграмма гетероструктуры
SiC-{SiC),M)x
VI. Общие выводы
VII. Список литературы
VIII. Условные обозначения и сокращения
IX. Приложение

1-скТ>кТ2У, где

С, =

ґ4ьл V М-г у
И

Е00Хр
(27)
(28)
Для контактов металл- пЄаАз

ф6 = 0,9эВ; —— = 0Д6
это уравнение
имеет место при N в> 6 1018 см 3, для контактов металл- рСшАр
Рис. 8. Зависимость удельного контактного сопротивления от концентрации носителей заряда для системы Ме-ОаАз при ЗООК.
— пЄаАз 1-фй=0,9эВ; 2-ф6=0,8эВ; 3-ф=0,7эВ рЄаАв 4-фг,=0,5эВ; 5-ф6=0,4эВ
( * т
ф6 = 0,48эВ;—— = 0

эта формула справедлива при Nл > 3 1019 см 3.
Уравнение (26) указывает на то, что в случае туннелирования контактное сопротивление сильно зависит от концентрации примесей в полупроводнике и эффективной массы носителей заряда. Контактное сопротивление в случае