Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
- Автор:
Штрекерт, Ольга Юрьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs | Котельников, Игорь Николаевич | 2007 |
| Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами | Рембеза, Екатерина Станиславовна | 2006 |
| Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа A??B??/A?B? с барьером Шоттки | Котов, Геннадий Иванович | 2015 |