Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда

• Автор: Овсюк, Виктор Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 438 c. : ил

ГЛАВА I. ПРИПОВЕРХНОСТНАЯ ОБЛАСТЬ ПРОСТРАНСТВЕННОГО
ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ I. Исходные положения
§ 2. Дифференциальные емкости приповерхностных ОПЗ
§ 3. Квазиклассические приближения для монополярных
полупроводников
§ 4. Квантование энергетического спектра носителей заряда в приповерхностных слоях полупроводников
§ 5. Особенности квантования электронного спектра в инверсионных каналах на поверхности германия
§ 6. Холл-фактор и машетосопротивление инверсионных
п-каналов на германии
Выводы к 1-й Главе
ГЛАВА 2. ЗАРЯД И ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ЕМКОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ
§ I. Равновесный заряд в поверхностных состояниях
§ 2. Равновесные дифференциальные емкости
поверхностных состояний
§ 3. Кинетическое уравнение для электронов в
поверхностных состояниях

§ 4. Стационарные заполнения и квазистационарные емкости
поверхностных состояний в неравновесном случав 86 § 5. Малые отклонения от квазистационарного или равновесного состояния
Выводы ко 2-й Главе
ГЛАВА 3. ИМПЕДАНС ПОЛУПРОВОДНИКОВ В СТРУКТУРАХ
С ЕМКОСТНЫМИ КОНТАКТАМИ
§ I. Общие сведения о ЩД-структурах
§ 2. Токи, текущие в полупроводнике
§ 3. Распределение неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника при гармонической модуляции
поверхностного потенциала
§ 4. Импеданс полупроводника
§ 5. Импеданс полупроводника для некоторых
частных случаев
5.1. Низкие и высокие частоты измерительного сигнала
5.2. Импеданс полупроводника при отсутствии ПС
5.3. Импеданс германия в ЩП-структурах
5.4. Определение рекомбинационного сопротивления .... 134 §6. Импеданс полупроводника при наличии
поверхностных состояний ,
§ 7. Импеданс полупроводника при больших уровнях
возбуждения
§ 8. Малосигнальный эффект поля в освещенном
полупроводнике
Выводы к 3-й Главе
- 5 -
ГЛАВА 4. МАЛОСИШАЛЬНАЯ ФОТОЭДС В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ОБРАЗЦАХ С ЕМКОСТНЫМИ КОНТАКТАМИ
§ I. Распределение неравновесных носителей заряда в полу- .
проводнике при гармоническом фотовозбуждении
§ 2. ФотоЭДС в ВДП-структуре
2.1. Инверсионные изгибы зон
2.2. Малосигнальная фотоЭДС в освещенном полупроводнике
§ 3. ФотоЭДС в ЩПДМ-отруктуре
§ 4. Квазистационарная фотоЭДС и фотоемкостной ток
§ 5. Осциллирующая поверхностная фотоЭДС в п-биАв
на горячих фотоэлектронах
Выводы к 4-й Главе
ГЛАВА 5. КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ НАЛИЧИИ ПШПОВЕРХНОСТНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА
§ I. Стационарная поверхностная фотопроводимость
§ 2. Кинетика малосигнальной импульсной фотопроводимости при наличии приповерхностных ОПЗ
§ 3. Кинетика фотопроводимости в тонких образцах
при больших уровнях фотовозбуждвния
§ 4. Влияние поверхностных состояний на поверхностную
фотопроводимость полупроводников
§ 5. Фотопроводимость и фотоЭДС, связанные с фотоионизацией поверхностных состояний
5.1. Токи, текущие в поверхностные состояния
5.2. Распределение неравновесных носителей заряда
5.3. ФотоЭДС
5.4. Фотопроводимость

потребуются нам в дальнейшем. В таких слоях потенциал затухает по квадратичному закону,
-7(2) = 75 (1- 15)г, «-29>
где (применительно к а -полупроводнику)
113-= 2Ц, -PYs «-30)
- толщина слоя обеднения, а

, . (I.3I)
d3 1 2^Mj
- некоторая характерная длина экранирования, зависящая от концентрации легирующей Примеси N cL
Напряженность электрического поля Ь>(%) затухает с координатой по линейному закону от значения на поверхности до
нулевого значения при 2 =и5" , а величины и , в целом, определяются только легированием материала и размерной величиной поверхностного потенциала
2^j4’
2e0esVs
> Ь>с ~
(1.32 а,б)

и & не зависят от температуры. Заряд слоя обеднения
и его дифференциальная емкость определены равенствами
йгц'Ч^'иГ, = £0£5/яаГ, (1.33 а,б)
имеющими наглядный физический смысл.
Зависимость ЯлТ (у5) (1.30) справедлива до инверсионного изгиба зон; при значениях |у5|>[у5с| возрастание толщины слоя обеднения резко замедляется и она выходит на квазинасыщение при
значении
Ю'оо 21с1э ^ 2 НпДТ (1.34 а)