Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок

• Автор: Когновицкий, Сергей Олегович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 145 с.

Содержание
Введение
Глава 1. Оптические свойства нанопроволок
Введение
1.1. Люминесценция и комбинационное рассеяние света в квантовых проволоках
1.1.1. Заращенные квантовые проволоки ІпСаАзЛЗаАз.
1.1.1.1. Создание структур с заращенными квантовыми проволоками ІпОаАзАЗаАз
1.1.1.2. Исследование фотолюминесценции структур с заращенными квантовыми проволоками ІпОаАз/СаАв
1.1.2. Поляризационные спектры экситонной люминесценции и комбинационного рассеяния открытых квантовых проволок 2пСсіЗе/2пЗе
Введение
1.1.2.1. Структуры с открытыми квантовыми проволоками гпСбЗе/гпве
1.1.2.2. Поляризационная анизотропия спектров люминесценции
1.1.2.3. Анализ поляризационной анизотропии люминесценции
2.1.2.4. Поляризационная анизотропия комбинационного рассеяния
света в открытых квантовых проволоках 2пСс!Зе/2пЗе
2.1.2.5. Заращенные квантовые проволоки 2пСсІЗе/2пЗе
1.2. Отражение от решеток из открытых нанопроволок
1.2.1. Поляризационная анизотропия оптических спектров отражения структур с открытыми полупроводниковыми нанопроволоками
Введение
1.2.1.1. Эксперимент
1.2.1.2. Расчет спектров отражения

1.2.2. Поляризационная анизотропия спектров отражения
металлизированных нанопроволок Введение
1.2.2.1. Образцы и измерения
1.2.2.2. “Решеточные поверхностные” электромагнитные волны
1.2.2.3. Анализ поляризационной анизотропии спектров отражения
Глава 2. Фотоиндуцированное формирование поверхностных
наноструктур
2.1. Фотоиндуцированная самоорганизация галлиевых нанопроволок на поверхности ЭаЫ
2.2. Создание одномерных углеродо-основных наноструктур под воздействием ультрафиолетового излучения
Введение
2.2.1. Воздействие ультрафиолетового излучения на
фуллереновые пленки
Глава 3. Рассеяние света электронами в области экситонного поглощения СаАв
Введение
3.1. Экспериментальные результаты
3.2. Анализ результатов
Заключение
Список литературы
Введение
Актуальность диссертационной работы. Полупроводниковые структуры с пониженной размерностью являются в настоящее время одним из основных объектов исследований в физике полупроводников. Понижение размерности приводит к существенным изменениям физических свойств структур, и ожидается, что такие структуры будут перспективны для приборных применений. Значительное внимание, в частности, уделяется созданию и исследованию полупроводниковых квантовых проволок (КП) [1].
Создание оптически качественных структур с квантовыми проволоками при помощи традиционных методов, тем не менее, сталкивается со значительными трудностями. Это определяет необходимость отработки оптимальных технологических режимов, одним из наиболее важных элементов которой является оптический экспресс-анализ характеристик создаваемых структур.
Дальнейшее уменьшение размеров поперечного сечения проволок и достижение более сильного проявления одномерных свойств делает актуальным поиск новых материалов и разработку альтернативных методов создания квантовых одномерных объектов.
Особый интерес представляет исследование полупроводниковых структур с поверхностными решетками, образованными системой открытых (незарощенных) проволок, для которых свойственна ярко выраженная поляризационная анизотропия оптических свойств [2]. Однако, существует очень мало экспериментальных работ, посвященных изучению спектров отражения от таких структур [3], а публикации с сообщениями об анализе спектров отражения от структур с открытыми проволоками 2пСб8е/2пЭе и о модификации этих спектров при дополнительной фотогенерации носителей в проволоках не известны.
Основная цель настоящей работы состояла в экспериментальном и теоретическом исследовании оптических свойств разнообразных структур с нанопроволоками (как с заращенными, так и с открытыми), различающимися

характерные свойства, свидетельствующие об одномерном характере электронных возбуждений в образцах с КП. В отличие от спектров люминесценции К Я , в спектрах образцов с КП обнаружена преимущественная линейная поляризация люминесценции в направлении оси проволок. Обнаружено также, что максимумы спектров люминесценции КП сдвинуты в коротковолновую сторону относительно максимумов полос люминесценции КЯ. Различие в характере влияния интенсивности возбуждающего света на форму спектров ФЛ структур с КП и КЯ позволило продемонстрировать важное свойство квантовых проволок — уменьшение плотности состояний с увеличением энергии. Температурные и временные измерения люминесценции показали, что динамика линии излучения КП в значительной степени определяется эффективностью стока фотогенерированных носителей в области проволок из объема барьера и сильно зависит от качества образца.