Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2

• Автор: Сафуат Булис Юсиф Ниер
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1982
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 153 с.

ГЛАВА I. МЕТОДИКА СИНТЕЗА И ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
Тібс&Ам И ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
§1.1. Краткий литературный обзор физических свойств
таллий-галлиевых сульфидов и седенидов
§ 1.2. Фйзико—химические свойства твердых растворов
TlGoSnSetfHt)
§ 1.3. Синтез и выращивание монокристаллов
’TtGoSty G^2(i-X) ••••****•***••
Резюме
Глава II. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КРАЯ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ
поглощения монокшсталлов TlGoSJe^)
ПРИ 0< I
§ 2.1. Спектр и форма края основной полосы поглощения
в полупроводниках
§ 2.2« Методика эксперимента
§ 2.3. Формирование края собственного поглощения монокристаллов Щ& - Шо8ег
§ 2.4. Край полосы поглощения TlQoSzx^2(^x) • • *
Резюме
ГЛАВА ІІ1. СТРУКТУРА основных полос поглощения и оптические
константы монокристаллов TlGoSzySe^-x)
§ З.Х. О методике измерения диффузного отражения и
обработке экспериментальных данных
§ 3.2. Межзонные переходы соединений TlGoSe,
и TIG0S2

8тр.
§ 3.3. Спектр диффузного отражения твердых растворов
TlGoS2$~г(і-х) в интервале энергии 2+6 эВ
§ 3.4. Диффузное отражение и механизм формирования края
собственной полосы поглощения Т10о$2х$^2(1-хУ
§ 3.5. Дисперсия края полосы собственного поглощения в
монокристаллах TIGqSz * TlGaSe2
§ 3.6. Собственная интерференция и дисперсия у края
собственной полосы поглощения TIGaSt. TlGoSSe,
TlGaSe?. п
Резюме
ГЛАВА ІУ. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ В
ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoS^xSe^^
§ 4.1. Температурная зависимость электропроводности монокристаллов ТЮй$2Х^2(1-Х) при постоянном токе
§ 4.2. Частотная и температурная зависимости электропроводности монокристаллов TlGoS2KSe2M в переменном
токе
§ 4.3. Примесная фотопроводимость монокристаллов
7lGaS2xSe2(„}
§ 4.4. Термостимулированные токи соединения TlGoSz ,
TlGoSe2, TlGoSSe
§ 4.4.1. Термо стимулированные проводимости TIGoSz»
TlGoSe, , TlGoSSe. пі
§ 4.4.2. Термостимулированные деполяризации TIGqS2
§ 4.5. Температурное гашение фотопроводимости TIG0S2
и TlGoSe2
Резюме
Глава V. ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ СИСТЕМЫ Ай~ TIGqХ2-(!сІ$Є
§ 5.1. Изготовление гетеропереходов TIGqXz~ CdSe

§ 5.2. Спектральная характеристика фотоволътаяческого
эффекта в системе А^~ ТЩохг~ &/$в. 131 § 5.3. Характеристики системы А^- ТШохг ~ Сс/$е
в фотодиодном режиме
Резюме
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ШВ0ДІ
ЛИТЕРАТУРА

Рис.2.
8 Спектральное распределение коэффициентов поглощения ПбаЯЗе Т,К: 1,2-300, 3,4-110.
Для кривых 2,4 - ось ординат справа.