Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
- Автор:
Шашкин, Илья Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников | Тарасов, Сергей Анатольевич | 2001 |
| Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS | Комиссаров, Андрей Леонидович | 2011 |
| Коллективные явления в суперионных проводниках | Коваленко, Александр Петрович | 1983 |