Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
- Автор:
Шашкин, Илья Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe | Шахмин, Алексей Александрович | 2011 |
| Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах | Смирнов Дмитрий Сергеевич | 2018 |
| Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях | Яковлев, Илья Николаевич | 2014 |