Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
- Автор:
Папроцкий Станислав Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
125
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Горн, Дмитрий Игоревич | 2012 |
| Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии | Ильин, Павел Александрович | 2002 |
| Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ | Вайтекунас Фердинандас | 2015 |