Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
- Автор:
Папроцкий Станислав Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
125
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения», автор — Папроцкий Станислав Константинович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2015 году. Объем работы: 125. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках | Игнатьев, Иван Владимирович | 2008 |
| Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs | Морозов, Сергей Вячеславович | 2002 |
| Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии | Ловыгин, Михаил Вячеславович | 2015 |