Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
- Автор:
Папроцкий Станислав Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
125
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения», автор — Папроцкий Станислав Константинович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2015 году. Объем работы: 125. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Концентрационные эффекты в многодолинных полупроводниках и их влияние на винтовую неустойчивость | Буянов, Алексей Вадимович | 1985 |
| Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs | Крыжановская, Наталья Владимировна | 2005 |
| Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te | Дьяков, Сергей Николаевич | 2000 |