Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
- Автор:
Папроцкий Станислав Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
125
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе | Петров, Анатолий Арсеньевич | 2008 |
| Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование) | Големшток, Григорий Михайлович | 1984 |
| Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb) | Розов, Александр Евгеньевич | 2000 |