Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
- Автор:
Папроцкий Станислав Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
125
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур | Лычагин, Евгений Викторович | 2003 |
| Нанесение коммутационных и антидиффузионных слоев на силициды переходных металлов и кремний | Соломкин, Федор Юрьевич | 1997 |
| Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах | Щербаков, Алексей Валерьевич | 2002 |