Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения
- Автор:
Папроцкий Станислав Константинович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
125
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения», автор — Папроцкий Станислав Константинович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2015 году. Объем работы: 125. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводящий тройной сополимер метилметакрилата, бутилметакрилата и метакриловой кислоты, модифицированный углеродными нанотрубками: строение и свойства | Элбакян Лусине Самвеловна | 2017 |
| Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников | Ланцова, Ольга Юрьевна | 2003 |
| Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния | Золотов, Андрей Викторович | 2007 |