Полупроводниковые InGaAsP/InP ( λ =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
- Автор:
Кучинский, Владимир Ильич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
60 с. : ил.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами | Селезнев, Владимир Александрович | 1999 |
| Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN | Усов, Сергей Олегович | 2016 |
| Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники | Мизеров, Андрей Михайлович | 2011 |