Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе

• Автор: Чалдышев, Владимир Викторович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 264 c. : ил

В в е д е н и е
Глава I. Зонная структура и свойства твердых растворов
на основе арсенида галлия (обзор литературы)
§ І.І. Арсенид галлия
1.1.1. Зонная структура и некоторые фундаментальные свойства
1.1.2. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия. Теоретические представления
1.1.3. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия. Экспериментальные результаты
§ 1.2. Твердые растворы на основе арсенида галлия
1.2.1. Зонная структура твердых растворов
1.2.2. Особенности разбавленных твердых растворов. Изовалентное легирование
1.2.3. Закономерности дефектообразования в гете-роэпитаксиальных структурах на основе твердых растворов соединений А^В^
1.2.4. Особенности излучательной рекомбинации в твердых растворах полупроводников
Глава 2. Методика исследований и обработки спектров фотолюминесценции
§ 2.1. Требования к экспериментальной установке .. 5ч
§ 2.2. Блок-схема установки
§ 2.3. Монохроматор и фотоприемники
§ 2.4. Коррекция спектров фотолюминесценции

Глава 3. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного изовалентными примесями сурьмой, индием и
висцутом
§ 3.1. Методика получения и характеристики эпитаксиальных пленок арсенида галлия, легированного изовалентными примесями
§ 3.2. Структура и некоторые параметры спектров фо-толюмине сценции , легированного 1п,&>
и &1
3.2.1. Основные механизмы излучательной рекомбинации
3.2.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава разбавленных твердых растворов
и 1пх&1,_хЛз
3.2.3. Зависимость эффективности излучательной рекомбинации от концентрации изовалентных примесей в арсениде галлия
§ 3.3. Влияние изовалентного легирования на состояние
мелких примесей
3.3.1. Концентрация и распределение амфотерных примесей по подрешеткам
3.3.2. Энергия ионизации мелких примесей
§ 3.4. Влияние изовалентного легирования на глубокие
примесные центры
§ 3.5. Обсуждение экспериментальных результатов. Механизмы взаимодействия изовалентных примесей с
ансамблем точечных дефектов кристалла
§ 3.6. В ы в о д ы

Глава 4. Теория люминесценции неоднородных твердых растворов полупроводников
§ 4.1. Распределение неравновесных носителей заряда (58
§ 4.2. Спектры люминесценции при плавном потенциале
неоднородностей
§ 4.3. Излучательная рекомбинация свободных носителей. Резкий потенциал неоднородностей
§ 4.4. Излучательная рекомбинация локализованных носителей. Резкий потенциал неоднородностей
§ 4.5. Влияние переизлучения на спектры люминесценции неоднородных полупроводниковых твердых растворов
§ 4.6. Обсуждение результатов
§ 4.7. Выводы
Глава 5. Фотолюминесценция неоднородных твердых растворов баЛз^ЗВ^
§ 5.1. Методика получения и характеристики образцов
§ 5.2. Структура спектров фотолюминесценции
Изменение состояния мелких примесей
§ 5.3. Влияние дислокаций несоответствия на эффективность излучательной рекомбинации в баЛв,_х
§ 5.4. Неоднородности распределения компонент твердого раствора Iк
§ 5.5. В ы в о д ы
3 а к л ю ч е н и е
Литера т у р а

(75

(82
(85
(91

Рис.1.4.
с. SO Рис. 1.4.
LATTICE MISMATCH (%>
Зависимость плотности дислокаций от рассогласования периодов решетки эпитаксиального слоя и подложки (таЛэ /179/.