Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Автор:
Воробьева, Татьяна Альбертовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
143 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов | Рыбин, Николай Борисович | 2011 |
| Получение и исследование наноструктурированных поликристаллических слоев и систем с квантовыми точками на основе халькогенидов свинца | Мараева, Евгения Владимировна | 2014 |
| Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники | Ракитин, Сергей Александрович | 1999 |