Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Автор:
Воробьева, Татьяна Альбертовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
143 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs | Самойлов, Виктор Александрович | 2000 |
| Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами | Рогожина, Татьяна Сергеевна | 2003 |
| Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки | Кострюков, Сергей Анатольевич | 2007 |