Магнитокинетические явления в трехмерном и двумерном электронном газе в сплавах на основе теллурида ртути

• Автор: Хасбулатов, Александер Магомедович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 282 с. : ил.

ОГЛ А В Л Е НИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ЧАСТЬ I. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Глава 1. МЕТОДИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА
1.1 Объекты исследования; отбор образцов
1.2 Методика низкотемпературного эксперимента
1.3 Горячие электроны; тепловой режим
ЧАСТЬ II. ТРЕХМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ В КВАНТОВОМ ПРЕДЕЛЕ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ В УСЛОВИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО РАЗОГРЕВА.
Глава 2. МАГНЕТОФОНОННЫЙ РЕЗОНАНС В УЗКОЩЕЛЕВОМ
СсЦЩьЛе
2.1.Магнетофононный резонанс в слабых электрических
полях
2.2.Магнетофононный резонанс в сильных электрических
полях
Глава 3. МАГНЕТОФОНОННЫЙ РЕЗОНАНС (МФР) КОНЦЕНТРАЦИИ В БЕСЩЕЛЕВОМ С(1хЩі.хТе ПРИ
НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
3.1 Теория МФРК в бесщелевых полупроводниках
3.2 Магнетофононный резонанс концентрации и ВАХ в бесщелевых
кристаллах CdxHgi.xTe
3.3 Анизотропия МФР на горячих носителях в теллуриде
ртути
ЧАСТЫ III. ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ НА ПОВЕРХНОСТИ
CdxHgj.Je
Глава 4. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В CdxHgj.xTe ПРИ
РАЗМЕРНОМ КВАНТОВАНИИ СПЕКТРА ЭЛЕКТРОНОВ НА
ПОВЕРХНОСТИ
4.1. Двумерные состояния на поверхности полупроводников
4.2.Квантовые осцилляции, обусловленные электронами на поверхности CdxHgi_xTe
4.3.Квантовое поглощение ультразвуковых волн двумерными носителями на поверхности
4.4.Двумерный электронный газ и компоненты тензора сопротивления при долговременной экспозиции кристаллов на
воздухе
ЧАСТЬ IV. ОСОБЕННОСТИ В РЕЗОНАНСНЫХ И МОНОТОННЫХ МАГНИТОКИНЕТИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЯХ В СПЛАВАХ НА ОСНОВЕ HgTe
Глава 5. КОМПОНЕНТЫ ТЕНЗОРА СОПРОТИВЛЕНИЯ CdxHgixTe В КВАНТУЮЩИХ И УЛЬТРАКВАНТОВЫХ МАГНИТНЫХ
ПОЛЯХ
5 Л .Эффект Шубникова-де Гааза в KPT
5.2.Отрицательное магнетосопротивление вКРТ
5.3.Магнитное вымораживание в узкощелевом n-CdxHgi_xTe
5.4.Особенности в поведении компонентов тензора сопротивления
вблизи перехода узкощелевая-бесщелевая фаза
Глава 6. ОСОБЕННОСТИ В ПОВЕДЕНИИ ТЕНЗОРА СОПРОТИВЛЕНИЯ В БЕСЩЕЛЕВЫХ СПЛАВАХ AxHgi_xTe
(A-Cd,Mn)
6.1 .Элементы технологии получения бесщелевых кристаллов
6.2.Сравнительное исследование магнитопроводимости и эффекта
Холла бесщелевых сплавов CdxHgi.xTe и MnxHgi_xTe
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Т~Т I 1 ] I П I [ П I гут г
Сс|кИ$<-хТе

ю см"
-1—1 1 1 1—!__(
О 0.1 ОД 0,3 X

Рис. 1.2. Зависимость эффективной массы электрона т’е(х) от состава на уровне Ферми для различных концентраций носителей при Т=4,2К [24].