Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP

• Автор: Тулашвили, Эремия Вахтангович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 158 c. : ил

Глава первая ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

В СИСТЕМАХ Зл^вазР И Гп^О^в^Рд-(ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ) ч-

§ I. Гетероструктуры на основе соединений А^В5

§ 2. Методы получения и свойства твердых растворов

и ^тА^-у

§ 3. Инжекционные лазеры на основе широкозонных

гетероструктур в системе 1п-Са-Аь-Р

Глава вторая МЕТОДИКА ЗКСНЕРИМЕНТОВ

§ I. Исследованные образцы

§ 2. Возбуждение и регистрация спектров.фото

электролюмине сценции
2.1. Низкий уровень фотовозбуждения
2.2. Высокий уровень фотовозбуждения
2.3. Возбуждение и регистрация спектров электролюминесценции
§ 3. Измерение квантового выхода фотолюминесценции
§ 4. Прочие методики и установки
Глава третья ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИИ 1п1_хСахА5уР][_у И СПЕКТРЫ ИХ ЛШШЕСЦЕНЦЙИ § I. Общий характер спектров люминесценции и границы необратимых изменений поверхностных условий

§ 2. Коэффициент преломления, спектры поглощения и
люминесценции Хп0 49^0 51^ и 1п1^
2.1.Спектры люминесценции и. края поглощения
2.2.Коэффициент преломления
Глава четвертая ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЯЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ДГ-СТРУКТУР 1п0 ^ 49Са0 ^ 51Р-1п1_х&ахА2 уР-^у ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ (Е^а< Ноз5<Е^э)
§ I. Исследования внешнего и внутреннего выхода из-лучательной рекомбинаций двойных гетероструктур
(при 300 К)
§ 2. Температурные исследования внутреннего квантового
выхода излучения
§ 3. Влияние рекомбинации в эмиттерах на время жизни неравновесных носителей в активной области гетероструктур
Глава IIятая. ВОЗБУЖДЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ШИРОКОЗОННОМ ЭМИТТЕРЕ ДГ-СТРУКТУРЫ § I. Распределение носителей и рекомбинационное
излучение в многослойных гетероструктурах
§ 2. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при
возбуждении широкозонного эмиттера
§ 3. Исследование люминесцентных характеристик изо-типных ТпСаАяР/СаАг ДГС при высоких, уровнях. . . оптического возбуждения

Глава IIIестая ИССЛЕДОВАНИЕ НИЗКОПОРОГОВЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ InGaAs P/GaAS ДГС И ПОЛУЧЕНИЕ НЕПРЕРЫВНОГО РЕЖИМА ГЕНЕРАЦИИ § I. Зависимость пороговой плотности тока от параметров
ДГС-лазеров
§ 2. Анализ физических причин особенностей зависимости In ={ (cLJ дал ДГС с лЕ^200 мэВ в области
dLa^0,3 мкм
§ 3. Получение, непрерывного режима генерации
Заключение
Литература

чае более высокотемпературных прогревов интегральная интенсивность люминесценции прогретой части образца сравнивалась с интенсивностью контрольного образца той же структуры, не прошедшего температурной обработки.
При изучении температурной зависимости интенсивности ФЛ
одиночных слоев 1по,49Сао,51Р и ^-х^^^Ф-у (3шсо 8амечено» что при прогревах образцов до температур, больших +150°С происходит необратимое уменьшение интенсивности ФЛ краевой полосы. Более подробно это явление исследовалось при прогревах ДГ-струк-тур. На рис. 3.2а показаны спектры излучения одной из ДГ-струк-тур с толщиной верхнего эмиттера ~ 2 мкм при возбуждении лампой ДРШ-250 до и после прогрева до температуры свыше +Ф50°С. Видно, что прогрев привел приблизительно к одинаковому (в 2 раза) падению интенсивности ФЛ 1п0>4д6а0>51Р- и -полос.
Необратимое уменьшение интенсивности ФЛ активной области не усиливалось и при экспериментах с прогревом структур с более тонким верхним эмиттером.
На рис. 3.3 показан типичный ход температурной зависимости интенсивности ФЛ активной области ДГ-структуры при возбуждении люминесценции аргоновым лазером ( > Е^э). Гистерезис в ходе кривой I, наблюдающийся при прогреве и охлаждении образца, связан с рассматриваемыми необратимыми изменениями, происходящими в гетероструктуре при прогреве. Кривая 2 этого же рисунка показывает результат температурных исследований интенсивности ФЛ этой же гетероструктуры в случае возбуждения непосредственно ее активной области линией 1,832 эБ криптонового лазера (Ку^<Е 'У Как видно, в ходе этой кривой не имеет место необратимых изменений, характерных для случая возбуждения коротковолновым излучением. Многочисленные подобные опыты показывают, что необратимые