Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе

• Автор: Соболев, Михаил Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 196 c. : ил

ГЛАВА I. ЧАСТЬ I. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЭЛЕКТР0НН0-30НД0ВЫМИ МЕТОДАМИ . . , (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
§ 1.1. Генерация, диффузия и дрейф неравновесных носителей в полупроводниковом материале при облучении быстрыми электронами
1.1.1. Взаимодействие первичных электронов с твердым телом. Распределение функции генерации
1.1.2. Диффузия и дрейф неравновесных носителей, генерированных быстрыми электронами

1.1.3. Распределение неосновных носителей, генерированных электронным зондом

§ 1.2. Режим тока, индуцированного электронным зондом

(ТИЭЗ)
1.2.1. Типы сигналов, регистрируемых в полупроводниковых материалах и структурах при электронно-зондовом возбуждении
1.2.2. Параметры полупроводниковых структур, определяемые в режиме ТИЭЗ в слое объемного заряда
1.2.3. Параметры полупроводниковых структур, определяемые в режиме ТИЭЗ в квазинейтральной области

§ 1.3. Катодолшинесцентные (КЛ) исследования полупроводников

ЧАСТЬ II.
§ 1.4. Электрофизические свойства нелегированных эпитакси-

альных слоев и структур на их основе
1.4.1. Особенности получения нелегированных слоев & а А 5 и структур на их основе методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ)
1.4.2. Глубокие центры, образующиеся в процессе роста нелегированных слоев &сійз методом ЖФЭ
ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО30НД0ВЫХ СИГНАЛОВ
§ 2.1. Введение
§ 2.2. Методика регистрации тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ)
§ 2.3. Методика регистрации катодолюминесцентного (КІ)
излучения
§ 2.4. Модуляционная методика исследования глубоких центров
с помощью электронного зонда
§ 2.5. Методика электролюминесцентных (ЭЛ) измерений в
растровом электронном микроскопе
§ 2.6. Экспериментальные образцы
ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Р-П СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННОГО &СІ Дв ЭЛЕКГР0НН0-30НД0ВЫМИ МЕТОДАМИ
§ 3.1. Введение
§ 3.2. Особенности поведения ТИЭЗ и КЛ в структурах на основе нелегированного
§ 3.3. Определение электрофизических параметров в области
объемного заряда р-п и р-і-п структур
3.3.1. Теоретические модели расчета кривых индуцированного тока

стр. |
3.3.2. Результаты эксперимента при измерении в режиме
индуцированного тока
§ 3.4. Локальный анализ глубоких центров с помощью электронного зонда в р-п структурах
3.4.1. Физические основы метода локального анализа глубоких центров
3.4.2. Результаты исследования параметров глубоких центров в структурах на основе эпитаксиального бай* 122 >
§ 3.5. Определение электрофизических параметров в квазинейтральных областях р-п структур
3.5.1. Определение параметров процесса безызлучательной рекомбинации
3.5.2. Определение диффузионных длин в нелегированном
&слй8> с учетом эффекта переизлучения . . . .
ГЛАВА 4. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННОГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО &ай*> С
ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТР0НН0-30НД0БЫХ МЕТОДОВ
§ 4.1. Введение
§ 4.2. Механизмы образования р° и п° слоев структуры
§ 4.3. Влияние металлургической границы подложка-эпитаксиальный слой на характер разделения носителей тока 1^8 § 4.4. Влияние толщины р°-слоя на распределение концентрации ГЦ по толщине эпитаксиальных слоев структуры 163 § 4.5. Влияние толщины р°-слоя на вид вольт-амперной характеристики диодных структур
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

рекомбинации ( 5 ы, /Уд г ); по форме кривой ТИЭЗ в
области объемного заряда и ее характерным размерам определять распределение концентрации ионизованных центров по толщине структуры.
3. Методику исследования инжекционных свойств р-п перехода, основанную на возможности регистрации сигнала электролюминесценции и катодолшинесценции из одной и той же локальной области многослойной приборной структуры.
4. Методику регистрации интегральной и спектральной микрокато-долкминесценции при температурах 77 и 300°К.
II. Разработки конструкций специальных устройств и приставок к растровому электронному микроскопу для реализации элект-ронно-зондовых методов.
III. Проведения комплекса электронно-зовдовых исследований эпитаксиальных слоев &ай?> и структур на его основе, состоящих из:
1. Установления влияния технологических условий выращивания на тип получаемых приборных структур (р+-р°, р+-р°-д°); характер распределения концентрации мелких и глубоких центров в них; электрофизические параметры и характеристики эпитаксиальных слоев (бы, гг , излучательные и безызлучательные харакверисти-ки).
2. Установления связи между диффузионной длиной неосновных носителей, концентрацией глубоких центров и толщиной переходного р°-слоя.
3. Изучения роли переходного р°-слоя на инжекционные свойства и на напряжение пробоя р-п перехода.