Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
- Автор:
Ильин, Николай Петрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
218 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС | Левин, Роман Викторович | 2016 |
| Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе | Соболев, Михаил Михайлович | 1984 |
| Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью | Когновицкая, Елена Андреевна | 2005 |