Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур

• Автор: Игнатьева, Елена Александровна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 151 с. : ил.

ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ, СПЕКТРАЛЬНО-СЕЛЕКТИВНЫХ В ВИДИМОМ И ИНФРАКРАСНОМ
ДИАПАЗОНАХ
I 1.1. Спектрально-селективные фотоприемники видимого и
инфракрасного диапазонов
1.2. Конструкции ячеек матричных интегральных фотоприемников, осуществляющих селекцию до трех цветов в видимом, а также в инфракрасном диапазонах
1.3. Задачи исследования
ГЛАВА 2. ПРИМЕНЕНИЕ ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ 1БЕ ТСАЕ»
ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ИНТЕГРАЛЬНОГО ФОТОПРИЕМНИКА
2.1. Приборно-технологическое моделирование как метод исследования
^ полупроводниковых структур
2.2. Возможности САПР 1БЕ ТСАЭ
2.3. Основные выводы
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ФОТОЯЧЕЙКЕ НА ОСНОВЕ ТРЕХ ВЕРТИКАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫХ Р-А-ПЕРЕХОДОВ
3.1. Аналитический расчет электрического потенциала вр-л-р-и-структуре фотоячейки
3.2. Оптимизация конструктивных параметров и величин управляющих напряжений
3.3. Расчет величин поверхностных концентраций накапливаемых
9 фотоносителей и времени терморелаксации структуры фотоячейки
3.4. Анализ и численный расчет процессов фоторелаксации и спектральных характеристик фоточувствительностей и- и р-областей трехдиодной вертикально-интегрированной фотоячейки
3.5. Оценка отношений сигнал/шум считываемого фотосигнала

3.6. Схемотехнические особенности управления и считывания фотосигналов
вертикально-интегрированной трехдиодной фотоячейки
3.7. Основные выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ФОТОЯЧЕЙКЕ НА ОСНОВЕ ПЯТИ ВЕРТИКАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫХ
/>-А-ПЕРЕХОДОВ
1 4.1. Исследование распределений электрического потенциала в толще
структуры и времени терморелаксации пятидиодной фотоячейки
4.2. Исследование фотоэлектрических характеристик вертикальной фотоячейки с пятью диодами
4.3. Основные выводы
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОБЛЕМЫ ИЗОЛЯЦИИ
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ИК ДИАПАЗОНА ИЗ СОГТ ПРИ ЕГО ИНТЕГРАЦИИ С КРЕМНИЕВОЙ СХЕМОЙ СЧИТЫВАНИЯ ФОТОСИГНАЛА
5.1. Конструкция фоточувствительного элемента из СОГТ, выполненного
на кремниевой подложке
5.2. Влияние пористости буферного диэлектрика из ВаГ2 на параметры изоляции с целью ее улучшения
5.3. Комбинированная фотоячейка спектрозонального фотоприемника
5.4. Основные выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ