Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями

• Автор: Мынбаев, Карим Джафарович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 368 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ
Глава 1 Исследование дефектной структуры твердых растворов СйдНйкЛ’е, легированных индием
§1.1 Легирование Сс1лН§ [ .ХТе индием
§1.1.1 Эффективность легирования СсУ^-Де индием
§ 1.1.2 Диффузионные процессы и растворимость индия
§ 1.2 Методика экспериментов
§1.2.1 Общая характеристика экспериментальных образцов
§1.2.2 Проведение отжигов
§1.2.3 Диффузионное легирование
§1.2.4 Анализ содержания индия
§1.2.5 Измерения электрических свойств
§1.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение
§1.3.1 Диффузионное легирование СйД^ .ХТе индием
§1.3.2 Модель изменения дефектной структуры Cd.vHgi.jTe при
легировании индием
§ 1.3.3 Профиль распределения индия
§1.3.4 Диффузия индия в эпитаксиальных слоях СйхН§1-*Те
§1.3.5 Электрические свойства Cdv.ITgi.jTe, подвергнутого диффузионному легированию
§1.3.6 Дефектообразование в эпитаксиальных слоях Cd.vHgi.vTe при сильном легировании индием
§ 1.4 Выводы по главе 1
Глава 2 Модифицирование дефектной структуры вакансионно-легированного СйД^кДе низкоэнергетической ионной обработкой
§2.1 Литературный обзор
§2.1.1 Конверсия типа проводимости при ионно-лучевом травлении С4л-Н£|.хТе
§2.1.2 Конверсия типа проводимости при плазменном травлении Cd.vHgi.vTe
§2.1.3 Свойства подвергнутого низкоэнергетической ионной обработке

садите
§2.1.4 Механизмы конверсии типа проводимости при
низкоэнергетической ионной обработке СсУ^.Де
§2.2 Методика экспериментов
§2.3 Экспериментальные результаты по низкоэнергетической ионной обработке эпитаксиальных слоев СсЩ^щТе
§2.3.1 Эффект конверсии типа проводимости
§2.3.2 Электрические свойства эпитаксиальных слоев СсЦ^.Де, подвергнутых низкоэнергетической ионной обработке
§2.3.3 Зависимость глубины конверсии от состава твердого раствора 84 §2.3.4 Низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов СбЕ&пТе и СсЛ^МпТе
§2.3.5 Плазменное травление твердых растворов СсУ^-Де
§2.4 Простая диффузионная модель конверсии типа проводимости и ее развитие
§2.5 Модель конверсии типа проводимости при низкоэнергетической ионной обработке СсЦ^.дТе
§2.5.1 Модель формирования диффузионного источника ртути
§2.5.2 Глубина конверсии
§2.5.3 Глубина конверсии в однородном по составу СсУ^-Де
§2.5.4 Особенности конверсии в эпитаксиальных структурах с широкозонным защитным слоем
§2.5.5 Влияние на глубину конверсии верхнего и+-слоя
§2.6 Концентрация электронов в конвертированных слоях
§2.7 Свойствар-п переходов, сформированных низкоэнергетической ионной обработкой в СсУ^.Де
§2.8 Выводы по главе 2
Глава 3 Низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов СсКЩцдТе, легированных акцепторными примесями
§3.1 Легирование СсГС^щТе акцепторными примесями
§3.1.1 Легирование СсЦ^-Де примесями I группы
§3.1.2 Легирование Сс1хН§1.хТе примесями V группы
§3.2 Низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов СсСН^кЛ’с, легированных акцепторными примесями

§3.3 Экспериментальные результаты по обработке СсЦНГд^Те, легированного акцепторными примесями, и их обсуждение
§3.3.1 Обработка монокристаллов СсУ^ьДе, легированных примесями I группы
§3.3.2 Обработка эпитаксиальных слоев Сс1хН”|.хТе. легированных примесями V группы
§3.4 Низкоэнергетическая ионная обработка легированных Ая эпитаксиальных структур СёхН§1.хТе. выращенных
молекулярно-пучковой эпитаксией
3.4.1 Фотолюминесцентное исследование влияния отжигов на структуру слоев Сс1х[1§1.хТе, выращенных
молекулярно-пучковой эпитаксией
§3.4.2 Результаты обработки легированных Аэ структур СсУНё1-хТе
§3.5 Заключительные замечания по низкоэнергетической ионной обработке твердых растворов
§3.6 Выводы по главе 3
Глава 4 Вакансионный механизм образования пор в широкозонных полупроводниках
§4.1 Пористые широкозонные полупроводники
§4.2 Методика экспериментов
§4.2.1 Получение пористого и ОаК
§4.2.2 Исследование пористого 81С и пористых структур ОаМ/81С
§4.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение
§4.3.1 Получение пористого карбида кремния
§4.3.2 Образование различных типов структур стехиометрического пористого карбида кремния
§4.4 Вакансионная модель образования пор в карбиде кремния
§4.5 Выводы по главе 4
Глава 5 Низкотемпературное диффузионное легирование карбида кремния
§5.1 Диффузия примесей в карбиде кремния
§5.2 Исследование поведения структуры пористого карбида кремния при отжигах

Таблица 1
Поверхностная концентрация индия в исследованных образцах
(легирование из газовой фазы)
Образец хсате Параметры диф. отжига С/„, см'3 Метод анализа
Т,°С г, час
Б2 0.30 360 103 1.8Т031 КРСМА
03 0.40 360 23 3.6-10|У КРСМА
05 0.21 340 100 2.7Т021 ХА
09-1 0.22 360 23 3.8Т01У КРСМА
09-2 0.22 360 23 8.3-10“° КРСМА
Б10-1 0.26 360 23 1.1-10^ КРСМА
Б10-2 0.26 360 23 9.5-1020 КРСМА
Б11 0.20 360 100 1.5-103° НАА
Б12 0.23 360 72 4.6-1020 МРИ
Б13 0.21 360 25 1.8-1031 КРСМА
Б14 0.50 360 23 4.8-10|У КРСМА
Б15 0.52 350 25 1.8-10"51 КРСМА
Б16 0.22 360 16 >1031 ВИМС
Б17 0.30 350 25 2.7-1031 КРСМА