К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
- Автор:
Малышев, Андрей Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства дефектов и процессы дефектообразования в ионно-имплантированных структурах Si-SiO2 | Малявка, Лариса Васильевна | 1999 |
| Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах | Рожанский, Игорь Владимирович | 2016 |
| Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs | Стародубцев, Александр Александрович | 2006 |