Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия

• Автор: Криворотов, Николай Павлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 326 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ГЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ТУННЕЛЬНЫХ р-п ПЕРЕХОДАХ

1.1. Электрические характеристики туннельных диодов (вводный обзор)

1.1.1. Теории междузонного туннелирования

1.1.2. Данные экспериментальных исследований

1.2. Влияние всестороннего давления и температуры на междузонный туннельный ток

1.3.Тензотуннельный эффект

1.4. Заключение по главе
ГЛАВА 2. ПЛОТНОСТЬ ТУННЕЛЬНОГО ТОКА В ВЫРОЖДЕННЫХ р-п ПЕРЕХОДАХ. ТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И ДЕГРАДАЦИЯ В ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ
2.1. Плотность междузонного туннельного тока вр'-п' переходах, изготовленных сплавлением Бп с р-СаДь <2п>
2.2. Избыточный туннельный ток в излучающих диодах
2.2.1. Теории избыточного туннелирования (краткий обзор)
2.2.2. Влияние флюктуаций плотности атомов легирующих примесей

на избыточный туннельный ток в р" -п переходах из арсенида галлия
2.3. Туннельная спектроскопия и деградация в излучающих диодах
2.4. Заключение по главе
ГЛАВА 3. АНОМАЛЬНЫЕ ТЕНЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И КАТАСТРОФИЧЕСКИЕ ОТКАЗЫ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
3.1. Аномальные тензоэлектрические явления в полупроводниковых материалах и приборах (вводный обзор)
3.2. Механические напряжения и пластические деформации на контактах металл/ полупроводник при всестороннем сжатии
3.3. Аномальные тензоэлектрические эффекты в туннельных р-п переходах
3.4. Аномальные тензоэлектрические свойства и внезапные отказы лавинных Б-диодов
3.5. Нормальное и аномальное поведение электросопротивления эпи-таксальных пленок ваАя и АЮаАв под давлением
3.5.1. Влияние всестороннего давления на электросопротивление пленок ваАв п-типа проводимости, полученных методом газофазной эпитаксии.
3.5.2. Влияние всестороннего давления и температуры на электросопротивление пленок АЮаАд, полученных методом жидкофазной эпитаксии.
3.6. Заключение по главе
ГЛАВА 4. НАДЕЖНОСТЬ СВЧ ДИОДОВ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ. ВЛИЯНИЕ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА НАДЕЖНОСТЬ
4.1. Оценка надежности приборов из арсенида галлия ускоренными испытаниями
4.2. Контакты и диоды с барьером Шоттки

4.2.1. Технологическое и конструктивное исполнение
4.2.2. Деградация при изотермических отжигах
4.2.3. Влияние механических напряжений на деградацию
4.2.4. Влияние периферийной поверхности арсенида галлия
4.2.5. Исследование устойчивости к выгоранию
4.3. Диоды Ганна
4.4. Отказы в виде разъединения микропроволочного электровывода с металлизированной поверхностью полупроводника
4.5. Заключение по главе
ГЛАВА 5. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ С ОБЪЕМНОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ
5.1. Интегральные тензопреобразователи давления (вводный обзор)
5.2. Интегральный тензопреобразователь давления с барорезисторами
из АЮаАв
5.3. Интегральные тензопреобразователи давлений ударных волн и механических импульсов с эпитаксиальными р+-п+ переходами
5.3.1. Тензопреобразователи давлений ударных волн
5.3.2. Тензопреобразователь механическою импульса
5.4. Заключение по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

Рис. 1.5. ВАХ ТД из ваАя на участке экспоненциального роста избыточного туннельного тока при всестороннем давлении; на вставке -изменение с давлением напряжения при постоянном токе 6 мА: 1 - Р = 0;
2 - Р = 4.7 кбар; 3 - Р = 7,7 кбар; 4 - Р = 11,3 кбар; 5 - Р = 14 кбар.