Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Автор:
Барыгин, Илья Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
126 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами | Фроленкова, Лариса Юрьевна | 2001 |
| Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах | Холомина, Татьяна Андреевна | 1999 |
| Деградация структур металл-арсенид галлия | Эм Рен Сик, 0 | 1985 |