Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом

• Автор: Угрюмова, Надежда Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 113 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИСЛЕДОВАНИЙ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ СТРУКТУРАМИ
НА ОСНОВЕ Р-М-ПЕРЕХОДА
1.1. Воздействие сильного СВЧ-поля на вольт-амперные характеристики
диодов на основе невырожденных/»-«-переходов
1.2. Воздействие СВЧ-излучения на вольт-амперные характеристики
диодов на основе вырожденных /»-«-переходов
1.3. Влияние СВЧ-разогрева и внешних воздействий
на вольт-амперные характеристики диодов на основе /»-«-переходов
2. АНАЛИЗ ПРИЧИН ВОЗНИКНОВЕНИЯ УЧАСТКОВ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ
НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Р-/-А-ДИОДНЫХ СТРУКТУР ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ
2.1. Теоретический анализ факторов, влияющих на вид ВАХ
/»-/-«-диода при воздействии СВЧ-мощности
2.2. Результаты математического моделирования
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ НАВЕДЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ Р-А-ПЕРЕХОДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ
СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ

3.1. Экспериментальное исследование и теоретический расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе р-н-переходов при подаче СВЧ-сигнала
3.2. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик
СВЧ-диодов на основе р-н-переходов в сильном СВЧ-поле
3.3. Возникновение -образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с р-н-переходом под действием СВЧ-излучения
4. ВЛИЯНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ВИДА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Р-У-СТРУКТУР В СИЛЬНОМ СВЧ-ПОЛЕ
НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ УМНОЖЕНИЯ ЧАСТОТЫ
4.1. Экспериментальное исследование взаимосвязи эффективности умножения частоты с изменением вида вольт-амперных характеристик диодов
4.2. Теоретический анализ влияния нелинейности
вольт-амперной характеристики на эффективность умножения частоты
5. ВОЗНИКНОВЕНИЕ РЕЖИМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
В ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНЕГО СВЧ-СИГНАЛА
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
Применение в СВЧ-диапазоне полупроводниковых элементов создает реальные условия для дальнейшего прогресса в различных областях науки и техники. Появление таких типов полупроводниковых приборов СВЧ, как лавиннопролетные диоды и диоды Ганна, туннельные диоды и диоды с ограниченным накоплением заряда, р-г—п-диоды, существенно изменило элементную базу, используемую для генерирования, модуляции и приема СВЧ сигналов. Это во многих случаях ведет к изменению коренных принципов конструирования приборов и систем сверхвысоких частот. Классические способы управления СВЧ-мощностью также претерпели значительные изменения с появлением полупроводниковых приборов.
Важным фактором, стимулирующим проведение исследований физических явлений в полупроводниках на СВЧ, является открытие новых эффектов, позволяющих разрабатывать новые полупроводниковые приборы для преобразования и управления энергией электромагнитных волн, генерации и усиления высокочастотных колебаний [1-10].
При теоретическом описании и экспериментальных исследованиях взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами оказывается необходимым рассматривать не только физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах при воздействии на них СВЧ-излучения, но и решать сложные задачи по нахождению распределения поля в электродинамической системе с полупроводниковыми элементами. Стараясь более строго решить электродинамическую задачу, авторы часто представляют полупроводниковые активные элементы, используя сильно упрощенные модели. Взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами с учетом сложного характера его распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего
Эквивалентная схема р-/-я-диода на СВЧ