Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
- Автор:
Бугров, Владислав Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
309 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5 | Калинина, Карина Вадимовна | 2012 |
| Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5 | Митрофанов, Кирилл Валентинович | 2012 |
| Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода | Гуляев, Дмитрий Владимирович | 2013 |