Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
- Автор:
Бугров, Владислав Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
309 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах», автор — Бугров, Владислав Евгеньевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 309 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006743250. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений | Заварин, Евгений Евгеньевич | 2008 |
| Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур | Черняков, Антон Евгеньевич | 2014 |
| Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах | Александрович, Елена Викторовна | 2000 |