Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
- Автор:
Бугров, Владислав Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
309 с. : ил.
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда | Уманский, Владимир Евгеньевич | 1983 |
| Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии | Хельцер, Гисберт | 1984 |
| Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ρ-легированном арсениде галлия | Гилинский, Александр Михайлович | 1999 |