Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния

• Автор: Лю Сын Нам, 0
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Одесса
• Количество страниц: 153 c. : ил

ЗВДЕНИЕ
ША I. ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ / ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1. Механические свойства полупроводниковых кристаллов
2. Особенности структуры пластически деформированных кристаллов
3. Влияние примесей и других точечных дефектов на деформационное упрочнение кристаллов
4. Влияние пластической деформации на электрофизические
и оптические свойства полупроводниковых материалов
ЛАВА П. ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ / ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1. Радиационные эффекты в облученных электронами полупроводниковых материалах
2. Взаимодействие радиационных дефектов с примесями и другими несовершенствами решетки кристалла
3. Механические свойства облученных материалов
4. Электрофизические и оптические свойства облученных полупроводников
5. Особенности воздействия лазерного излучения на структуру
и свойства полупроводниковых материалов
6. Постановка научной задачи
ЛАВА Ш. ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ И ОБЛУЧЕНИЯ НА СОВЕРШЕНСТВО СТРУКТУРЫ КРЕМНИЯ И ФОСФВДА ГАЛЛИЯ МЕТОДАМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ
1. Описание образцов и способов их обработки
2. Методика эксперимента

г 3. Влияние пластической деформации и облучения на
совершенство структуры фосфида галлия
I 4. Влияние пластической деформации и облучения на
совершенство структуры кремния
5. Обсуждение полученных результатов
’ЛАВА 1У. ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ И ОБЛУЧЕНИЯ НА СОВЕРШЕНСТВО СТРУКТУРЫ ФОСФВДА ГАЛЛИЯ И
КРЕМНИЯ ДИ@>АКТОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ
) I. Методика эксперимента
) 2. Влияние пластической деформации и облучения на
дифракционную картину фосфида галлия
) 3. Влияние пластической деформации и облучения на
дифракционную картину кремния
) 4. Обсуждение полученных результатов
’ЛАВА У. ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ И ОБЛУЧЕНИЯ
НА МИКРОСТРУКТУРУ КРЕМНИЯ И ФОСФВДА ГАЛЛИЯ
) I. Методика эксперимента
) 2 . Особенности микроструктуры пластически деформированного и облученного фосфида галлия
5 3. Особенности микроструктуры пластически деформированного и облученного кремния
5 4. Обсуждение результатов эксперимента
’ЛАВА У1. НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАСТИЧЕСКИ ДЕФОРМИРОВАННЫХ И ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ
ФОСФВДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ
) I. Изучение микротвердости монокристаллов фосфида
галлия и кремния
а/ микротвердость монокристаллов кремния
б/ микротвердость монокристаллов фосфида галлия

} 2. Изучение спектров катодолюглинесценции монокристаллов
фосфида галлия
§ 3. Обсуждение результатов эксперимента
ЗЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

§ 3. Влияние пластической деформации и облучения на совершенство структуры фосфида галлия
а/ влияние пластической деформации
Как было показано в § I, монокристаллы фосфида галлия дефор-ировались методом одноосного растяжения цри 800°С с постоянной коростью вплоть до разрыва образцов. Напряжения были приложены | направлении . Цри этом степень деформации £, составила 4$. Изучение степени совершенства "исходных" монокристаллов фос-нда галлия после их резки, шлифовки и химической полировки мето-;ом Фудживара показало, что явно выраженная субструктура в крис-' аллах фосфида галлия отсутствует. Как видно из рис. I/ а, б/ ,
:а котором представлен вид дифракционных максимумов соответствен-:о (021) и (351) , полученных при трех расстояниях от кристал-
[а до пленки, на рефлексах присутствуют несколько светлых линий, :арактеризующих наличие в кристалле границ блоков. С увеличением »асстояния от кристалла до пленки распределение интенсивности 'контраст/, на дифракционных максимумах не меняется и новых де-?алей структуры пятен не появляется. Это свидетельствует о том,
1ТО облучаемый объем кристаллов состоит из нескольких блоков, ’азмеры блоков, подсчитанные по формуле (I) , а также полученные рафическим методом путем экстраполяции к поверхности образца )ставили в радиальном направлении 0.9 мм, в азимутальном
2.2 мм. Разориентация блоков в радиальном направлении равня-тсь <5^, — 45 ^ , в азимутальном направлении ^ хз' . После шастической деформации кристаллов дифракционная картина существенно изменилась. На рис. 2/ а, б/ и 3 представлен вид дифракци-шных максимумов соответственно (013) ,(135) и (351). Как видно 13 рис. 2 /а, б/ , распределение интенсивности по площади рефлек-