Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe

• Автор: Магомедова, Патимат Мустафаевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 111 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
Глава I СОБСТВЕННЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ ZnS, гпБе, СёБе И АССОЦИАТЫ С ИХ УЧАСТИЕМ (ЛИТ. ОБЗОР) 10 § 1.1 Собственные точечные дефекты соединений А2В6
1.1.1 Классификация центров, обусловленных точечными дефектами, и методов их исследования
1.1.2 Сульфид цинка
1.1.3 Селенид цинка
1Л .4 Селенид кадмия
1.1.5 О п- и р-типе проводимости соединений А2В6
§1.2 Взаимодействие точечных дефектов - ассоциаты
1.2.1 Излучателъная рекомбинация с участием донорно-акцепторных пар
1.2.2 Примесные фотоэффекты в донорно-акцепторных
парах
1.2.3 Роль ассоциатов с участием собственных дефектов в формировании фотоэлектрических и люминесцентных свойств соединений ZnS, ZnSe, СсШе
ВЫВОДЫ
Глава II МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ 2.1 Общая характеристика образцов
§ 2.2 Экспериментальные установки
§2.3 Методика эксперимента

Глава III ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СУЛЬФИДА ЦИНКА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ ПРИРОДЫ
§ 3.1 Люминесценция неактивированных кристаллов
сульфида цинка
3.1.1 Спектральное распределение фотолюминесценции
неактивированных кристаллов ZnS и ее температурная зависимость
3.1.2 Термостимулированная люминесценция
§ 3.2 Фотоэлектрические свойства неактивированных
кристаллов Хпв
3.2.1 ИПФ кристаллов 7мБ и ее температурная
зависимость
3.2.2 Термостимулированные токи
§ 3.3 Обсуждение экспериментальных данных. Модель
центров зеленой (Ат =540 нм) полосы люминесцен-
ценции неактивированных кристаллов ZnS
ВЫВОДЫ
Глава ІУ ЭЛЕКТРО- И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ САМОАКТИ-
ВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ Zn.Se
§ 4.1 Электролюминесценция симметричных структур
на основе самоактивированных кристаллов 2пБе
§ 4.2 Самоактивированная люминесценция кристаллов селенида цинка
4.2.1 Фотолюминесценция неактивированных и самоактивированных кристаллов ZnSe
4.2.2 Термоактивационные процессы
§ 4.3 Обсуждение экспериментальных результатов
выводы

Глава V ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА НЕ АКТИВИРОВАННЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ СЕРЕБРА И МЕДИ КРИСТАЛЛОВ СёБе, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ АССОЦИАТАМИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ СОБСТВЕННОЙ И ПРИМЕСНОЙ ПРИРОДЫ
§ 5.1 Фотоэлектрические свойства кристаллов Сй8е
легированных примесями серебра и меди
§ 5.2 Фотоэффект Холла в кристаллах СсШе
§ 5.3 Инфракрасная люминесценция (Ьу=1.3-1.5 эВ)
монокристаллов селенида кадмия
§ 5.4 Обсуждение экспериментальных результатов.
Модель центров излучения (Ьу=1.3-1.5 эВ) в
селениде кадмия
ВЫВОДЫ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
ЦП, ЦР - центры прилипания, центры рекомбинации
ННЗ - неравновесные носители заряда
Уд, Ук - вакансии аниона, вакансия катиона
Ак, Ид - акцептор в катионном, донор в анионном узле
кристаллической решетки Б; - донор в междоузлии кристаллической решетки
ПФ, ИПФ - примесная и индуцированная примесная фотопроводимость

В зависимости от спектрального диапазона измерений использовались призмы 11: из стекла Ф1 (к =0.7-2.5 мкм); ЬіБ (к =2.0-5.5 мкм);
Рис. 2.2.1 Оптическая схема установки для исследования фотоэлектрических свойств: 1- образец, 2-глобар, 3-10-зеркала, 11-призма, 12-линза, 13-модулятор, 14- криостат, 8 - источник света.
1ЧаС1 (7 = 6-15 мкм). Модуляция ИК излучения осуществлялась механическим модулятором 13 =20-200 Гц). Управление квазиуровнями Ферми, исследуемого полупроводника, осуществлялось облучением его интегральным светом от лампы накаливания Б или монохроматическим светом, выделяемым с помощью фильтров. Фокусирование его на образец производилось системой линз 12. Для регулирования интенсивности интегрального (собственного) света использовались калиброванные нейтральные сетки.