Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Варавин, Василий Семенович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
145 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками | Зайцев, Роман Владимирович | 2001 |
| Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности | Олешко, Владимир Иванович | 1999 |
| Квантовые точки I и II типа | Макаров, Александр Геннадьевич | 2004 |