Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
- Автор:
Мурашова, Алена Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
145 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Магнитные фазовые переходы и физические свойства реальных материалов со сложной магнитной структурой | Мусаев, Гапиз Гапизович | 2000 |
| Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией | Куницын, Александр Евгеньевич | 2002 |
| Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями | Николаев, Валентин Вячеславович | 2005 |