Влияние электрон-фононного взаимодействия на свойства поверхности наноалмазов

• Автор: Рейх, Константин Викторович
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 101 с. : ил.

Оглавление
Введение
1 Обзор свойств поверхности наноалмазных частиц
1.1 Получение наноалмазов
1.2 Поверхность наноалмазных частиц
1.3 Сопротивление Капицы между металлом и диэлектриком
1.4 Полевая эмиссия из наноалмазов
1.5 Взаимодействие электронов и фононов в локальной области
2 Строение поверхности наноалмазных частиц и их оптические свойства
2.1 Строение поверхности наноалмазных частиц
2.2 Эффективный гамильтониан для электрона на поверхности наноалмаза
2.3 Оптическая проводимость поверхности наноалмаза
2.4 Оптическое поглощение в суспензии наноалмазов. Сравнение теории
и эксперимента
3 Взаимодействие электронов и фононов в локальной области

3.1 Эффективный Гамильтониан и собственная энергетическая часть
для электрона
3.2 Эффективный потенциал при локальном электрон-фононном взаимодействии
3.3 Мнимая часть собственно-энергетической части для электрона
3.4 Амплитуда рассеяния и сечения рассеяния
3.5 Выводы
4 Эмиссия из углеродных наноструктур
4.1 Описание модели
4.1.1 Численые расчеты
4.1.2 Аналитический метод
4.2 Сравнение модели с имеющимися экспериментальными данными
4.2.1 Низкие эффективные работы выхода
4.2.2 Высокие эффективные температуры
4.3 Выводы
5 Тепловое сопротивление на границе металла и диэлектрика
5.1 Модель
5.1.1 Гриновскис функции в отсутствии взаимодействия
5.1.2 Электронная гриновская функция
5.1.3 Фононная гриновская функция
5.1.4 Перенормировка константы взаимодействия
5.2 Формула Кубо для теплового сопротивления
5.3 Выводы
Заключение
Публикации автора по теме диссертации
Литература

Глава З
Взаимодействие электронов и фононов в локальной области
3.1 Эффективный Гамильтониан и собственная энергетическая часть для электрона
Построим эффективный гамильтониан для систем с локальным электрон-фононным взаимодействием. За отправную точку возьмем гамильтониан Фре-лиха, в который будет введена зависящая от координат функция, задающая электрон-фононное взаимодействие. Гамильтониан системы можно записать в виде: Н — Н0 + IIер. Как обычно
Яо = £ £рС+ Ср + 2 ач (3-і)

- гамильтониан не взаимодействующих электронов и фононов, а
Нер = I а*р(г)У(г) (3.2)
- гамильтониан взаимодействия электронов и фононов. Гамильтонианы записаны в стандартном виде. Использованы операторы рождения и уничтожения электронов Ср, ср и фононов о+, щ. Энергия электрона ер и фонона - зависят, соответственно, от импульса р и волнового вектора д . Далее будем считать, что постоянная Планка Н= 1. В гамильтониане Я,.р: р(г) - оператор электронной плотности, У(г)
- оператор потенциала взаимодействия электрона с фононами.