Пороговые фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe
- Автор:
Северцев, Владимир Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
243 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности взаимодействия СВЧ-излучения с фотонными кристаллами, содержащими в качестве неоднородностей диэлектрические, полупроводниковые и металлические включения | Пономарев, Денис Викторович | 2012 |
| Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP | Кодак, Александр Сергеевич | 2007 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования ориентированных массивов углеродных нанотрубок для чувствительных элементов газовых сенсоров | Ильин, Олег Игоревич | 2015 |