Нелинейно-оптическая диагностика материалов микроэлектроники

• Автор: Мишина, Елена Дмитриевна
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 293 с. : ил.

Глава 1. Феноменологическое описание параметров оптической второй гармоники нелинейной поляризации, поля ВГ. Анизотропия квадратичной нелинейной поляризации. Формализм функции Грина описания генерации ВГ. Спектроскопия оптической второй гармоники. Гиперрэлеевское рассеяние. Микроскопия ГВГ. Интерферометрия оптической второй гармоники. Гармоники высоких порядков. Глава 2. Некогерентный сигнал на примере пленок РЬггПОз. X 2. РЬТЮз. Микроскопия ГВГ для диагностики состояния поляризации. Исследование динамики переключения поляризации в топких сегнстоэлектрических пленках. Переключение сегиетоэлсктрнческон поляризации в наиосскундном режиме. Глава 3. Инетрферометрия ВГ для исследования пленок модифицированных фуллерснов. Гнперрэлеевскос рассеяние в пленках фуллереиов. Самоорганизующиеся мономолскулярные слон на поверхности металлов. Особенности нелинейнооптического отклика в монослоях, сформированных на поверхности металла. Экспериментальное исследование олиготиофенов с различным числом тиофеновых колец и размерные эффекты в самоорганизующихся мономолскулярных слоях.


Особенности нелинейнооптического отклика в монослоях, сформированных на поверхности металла. Экспериментальное исследование олиготиофенов с различным числом тиофеновых колец и размерные эффекты в самоорганизующихся мономолскулярных слоях. Глава 4. МОПструктур. Феноменологическое описание электроиндуцированных оптических гармоник в МОПструктурах6
шггерференционными фильтрами. Применение данной установки для исследования генерации гармоник высоких порядков описано в главе 4, п. Методика оптической накачкипробы является в настоящее время единственной методикой, позволяющей исследовать процессы с характерными временами в единицы фемтосекунд. Эта методика заключается в зондировании образца, возбужденном излучением накачки относительно мощным, пробным относительно слабым излучением. Источником импульсов и пробы, и накачки является один и тот же фемтосекундный лазерный источник, поэтому импульсы когерентны. Схема установки по исследованию материалов методом накачкипробы представлена на рис. В настоящей работе были использованы различные лазерные источники, которые в наибольшей степени соответствовали конкретной задаче по исследованию материала или эффекта. Соответственно лазерной системе выбиралась система регистрации. Параметры лазерных источников и систем регистрации приведены в таблицах 1 и 2. Таблица 1. Модель Обози ачение Длительность импульса Частота повторе ния Средняя мощ ность Вт Макс. Iii ЛЗ 2. Гц 0 2. Л6 0 фс 1 кГц 0. А Таблица 2. ФЭУ 0 Р3и РЗо Непрерывный Режим окна, синхр. Фотодиодная матрица с усилителем I, i I.