Исследование хемосорбционного взаимодействия при формировании приповерхностных легированных слоев в полупроводниках и пленок на их поверхности в технологических процессах диффузии и осаждения

• Автор: Королев, Алексей Николаевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 169 с. : ил.

VхУезхУХСхУ1опх, 2. У0д электростатический потенциал, создаваемый электронами проводимости и размазанным зарядом ионов У1оп описывает неэлектростатические взаимодействия электронов с ионами и учитывается некоторым модельным образом или с помощью псевдопотенциала. Обменнокорреляционный потенциал Ухс считается зависящим от электронной плотности, либо используется статистическое приближение для обменнокорреляционных взаимодействий. Все эти приближения можно обосновать только в пределе медленно меняющейся электронной плотности ,3. Однако они неоднократно успешно применялись для расчета молекул и объемных свойств твердых тел, что служит серьезным эмпирическим оправданием для использования указанных приближений при рассмотрении поверхности 3. Для решения уравнения Шредингера с заданным поверхностным потенциалом развиты два подхода. В первом из них поверхность рассматривается как граница полубеоконечного твердого тела С 1. Система координат выбирается таким образом, что ось ъ направлена

2. Хц параллелен ей.

Однако они неоднократно успешно применялись для расчета молекул и объемных свойств твердых тел, что служит серьезным эмпирическим оправданием для использования указанных приближений при рассмотрении поверхности 3. Для решения уравнения Шредингера с заданным поверхностным потенциалом развиты два подхода. В первом из них поверхность рассматривается как граница полубеоконечного твердого тела С 1. Система координат выбирается таким образом, что ось ъ направлена
2. Хц параллелен ей. Волновые функции нумеруются Олоховскими волновыми векторами к ц, которые вместе с энергией представляют собой базисный набор квантовых чисел для рассматриваемой задачи. Представление Лауэ оказывается полезным только в том случае, когда разложение V но плоским волнам сравнительно быстро сходится, для того, чтобы удовлетворить этому условию, необходимо пользоваться псевдопотенциалами для У1оп, в которых из Уоп эффективно выделен сильный потенциал атомного остова . При использовании второго подхода к решению волнового уравнения поверхность рассматривается как граница пластины, которая периодически встраивается в некоторую гипотетическую пустую четырехугольную решетку ,,1. В направлениях, параллельных поверхности пластины, эта решетка обладает той же периодичностью, что и пластина. Период решетки по нормали к поверхности равен расстоянию между соседними пластинами и складывается из толщины пластины и размера свободной области, что составляет 0м. В данном случае задача решается путем разложения волновых функций по базису, состоящему из следующего набора собственных векторов
2.